发明名称 |
半导体装置和其制造方法 |
摘要 |
本发明的一个目的在于,在有限的面积中形成多个元件,以便减少由用于整合的元件所占用的面积,使得可在诸如液晶显示装置和含有EL元件的发光装置的半导体装置中推动更高的解析度(增加图素数量)、以小型化来减少每一显示图素的节距以及驱动图素部分的驱动电路的整合。对光微影处理应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或光罩,以形成闸极电极,用以便形成复杂闸极电极。此外,可藉由仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一基板上形成具有上述多闸极结构的顶闸极TFT和具有单闸极结构的顶闸极TFT。 |
申请公布号 |
TW200703445 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
申请号 |
TW095117682 |
申请日期 |
2006.05.18 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
大沼英人;永井雅晴;纳光明;仓真之;小森茂树;山崎舜平 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |