| 发明名称 |
矽系被处理物之处理方法、处理装置及半导体之制造方法 |
| 摘要 |
本发明系一种矽系被处理物之处理方法，其包含：将矽系被处理物暴露于含有氧自由基之电浆气氛之步骤；及于上述电浆气氛下对上述被处理物通过电阻元件施加直流电压进行氧化之步骤。 |
| 申请公布号 |
TW200703443 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
| 申请号 |
TW095109756 |
申请日期 |
2006.03.22 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
山内健资 |
| 分类号 |
H01L21/02(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/225(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
