发明名称 |
DRAM中用于DDR1及DDR2操作模式之每I/O线2位元写入资料滙流排TWO-BIT PER I/O LINE WRITE DATA BUS FOR DDR1 AND DDR2 OPERATING MODES IN A DRAM |
摘要 |
本发明提供一种用于积体电路记忆体之资料汇流排电路,包括用于将记忆体与I/O区块连接之每I/O垫4位元汇流排,但是仅将每I/O两位元用于写入,而每I/O垫4位元用于读取。在输入资料闪控讯号之每个下降边缘时,可经由汇流排传输后两个位元,故毋须精确地计数输入资料闪控脉冲。此外,该资料汇流排电路可相容于DDR1及DDR2操作模式。 |
申请公布号 |
TW200703359 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
申请号 |
TW095108965 |
申请日期 |
2006.03.16 |
申请人 |
茂德科技股份有限公司 |
发明人 |
强艾伦佛伊;史蒂夫伊顿;麦克莫瑞 |
分类号 |
G11C7/12(2006.01);G11C7/22(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
王宗梅 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼 |