减少位元线电容之非挥发性记忆体阵列之分割

摘要

本发明藉由切换式地分割一阵列中的位元线来分割N个片断中的记忆体阵列。在示范性具体实施例中，一顶部组感测放大器控制偶数位元线而且一底部组感测放大器控制奇数位元线。分段电晶体根据该阵列中的选择字元线位置开启或关闭。因为位元线电容系主要从金属位元线至耦合至其紧接的邻近者之位元线，所以分割阵列中的位元线邻近者在该等位元线之某些片断中系浮动的。总位元线电容在很大程度上得到减小，晶粒尺寸方面的增加可忽略，从而导致减少的感测时间及增强的读取及写入性能。