发明名称 奈米碳管阵列制作方法
摘要 本发明涉及一种奈米碳管阵列制作方法,其包括以下步骤:提供一形成有遮挡层之基底;提供一催化剂蒸发源;沿一旋转轴旋转基底,于基底上形成具有厚度梯度之催化剂薄膜;去除遮挡层,于催化剂薄膜上定义出至少一催化剂区块,该催化剂区块之厚度由其一第一端部向一第二端部逐渐减薄,且于该第一端部至第二端部之范围内有一厚度最接近一最佳厚度;将催化剂区块处理成催化剂颗粒阵列;通入碳源气,利用CVD法生长奈米碳管阵列,该奈米碳管阵列向背离最佳厚度方向弯曲。本发明藉由对催化剂薄膜之控制,可实现奈米碳管阵列局部之多个方向生长。
申请公布号 TW200702300 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW094124071 申请日期 2005.07.15
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 刘亮;范守善
分类号 C01B31/04(2006.01);C23C16/26(2006.01);B82B3/00(2006.01) 主分类号 C01B31/04(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号