单晶钻石及其制造方法

摘要

本发明之目标为获得具有变形小及面积大、适于半导体元件基板或光学组件材料之高品质单晶钻石。本发明为藉由化学气相沉积制造之单晶钻石，其中，当将由两股相互垂直之线性偏光组成之一线性偏光引入该单晶钻石之一个主面时，自一相反之主面传出的该等两股相互垂直线性偏光之间之最大延迟值为穿过整个单晶钻石每100 μm厚度最大不超过50 μm，且本发明亦为一种制造该钻石之方法。