发明名称 低介电系数之双镶嵌光阻之重工方法
摘要 一种低介电系数之双镶嵌光阻之重工方法包括形成孔洞层级前驱结构于一基底之上,接着,涂布氧化保护层于孔洞层级前驱结构之最上层之底抗反射涂布层表面。孔洞前驱结构包含孔洞开口,且孔洞开口具有插塞并且系形成于低介电系数之介电层中。进一步形成底抗反射涂布层于低介电系数介电层与插塞表面。接着,沉积沟渠层级光阻层于氧化保护层之上以做为沟渠蚀刻罩幕。在光阻层的移除制程中,氧化保护层可以保护底抗反射涂布层及插塞。当需要重工沟渠层级光阻层时,沟渠层级光阻层可轻易被移除而位于氧化保护层下方之底抗反射涂布层及插塞则不会被移除。
申请公布号 TW200703558 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW095108003 申请日期 2006.03.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 吴仓聚;叶震南;李再春;欧阳晖
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/50(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号