| 摘要 |
本发明系关于一种半导体结构，包括：一第一闸极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二闸极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上，该第二闸极结构系邻近于该第一闸极结构；以及一含氮蚀刻停止层，形成于该第一与第二闸极结构上以及该半导体基底上，其中形成于该第一与第二闸极结构上之该含氮蚀刻停止层具有大体相同于形成于该半导体基底上之该含氮蚀刻停止层之一厚度，以改善后续形成于该第一与第二闸极结构间之该含氮蚀刻停止层上之一膜层之步阶覆盖情形。本发明亦关于一种半导体结构之形成方法。 |
