发明名称 用以制造受应力之电晶体结构的整合制程
摘要 一种流程整合架构,其使用一或多种技术,以控制由兹形成之一半导体元件中之应力。根据一实施例,利用一氮化物间隙物及多晶闸之RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层之沈积所构成之累积应力,来增进应变并改善元件性能。也可将锗沈积或植入该闸结构以助应力控制。
申请公布号 TW200703518 申请公布日期 2007.01.16
申请号 TW095118334 申请日期 2006.05.23
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 巴西努米海拉;李嘉;夏克美烨;阿巴雅提亚弥尔;夏立群;姆萨德希肯
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国