发明名称 |
用以制造受应力之电晶体结构的整合制程 |
摘要 |
一种流程整合架构,其使用一或多种技术,以控制由兹形成之一半导体元件中之应力。根据一实施例,利用一氮化物间隙物及多晶闸之RTP(快速热处理制程)以及后续一高应力蚀刻终止层之沈积所构成之累积应力,来增进应变并改善元件性能。也可将锗沈积或植入该闸结构以助应力控制。 |
申请公布号 |
TW200703518 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
申请号 |
TW095118334 |
申请日期 |
2006.05.23 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
巴西努米海拉;李嘉;夏克美烨;阿巴雅提亚弥尔;夏立群;姆萨德希肯 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
美国 |