| 摘要 |
本发明系关于一种自一半导体装置(10)移除奈米丛集(16)之方法，其包括：蚀刻一绝缘层(18)之一已选部分；在该半导体装置(10)上在一400–900摄氏度之范围的温度下流过一还原气体(H2)；及在该半导体装置(10)上在一400–900摄氏度之范围的温度下流过一含有卤素之气体。在另一形式中，一种用于移除该等奈米丛集(16)之方法包括：将锗或氮植入该等奈米丛集(16)；使用一乾式蚀刻制程蚀刻该绝缘层(18)之一已选部分；及使用一针对一绝缘层(14)可选的湿式蚀刻制程移除该奈米丛集(16)层。 |
