| 摘要 |
本发明的课题为在HBT中，若使基极电流增加，以谋求电流密度的提高，则会引起二次降伏(secondary yielding)，而容易遭到破坏。本发明的解决手段系隔着分离区域接邻配置单位HBT与单位FET，连接复数个在单位HBT的基极电极连接单位FET的源极电流之单位元件而构成主动元件。据此，可实现电流不易集中于单位元件，不发生因二次降伏造成的破坏之主动元件。而且，为了在单位FET确保耐压而采用埋入闸极电极构造，但藉由以不使埋入部扩散至InGaP层的构造，可防止Pt的异常扩散。而且，在单位HBT的射极台地、基极台地形成、突出部形成以及单位FET的闸极凹陷蚀刻可采用选择蚀刻，使再现性变佳。 |
