发明名称 PHOTOMASKE UND VERFAHREN ZUR PHOTOLITHOGRAPHISCHEN MUSTERERZEUGUNG AUF EINEM SUBSTRAT UNTER BENÜTZUNG VON HILFSSTRUKTUREN MIT PHASENÄNDERUNG
摘要 A photomask and method of patterning a photosensitive layer using a photomask, the photomask including a substrate and a film coupled to substrate. The film is etched with a phase shifted assist feature, a low aspect ratio assist feature or phase shifted low aspect primary features.
申请公布号 AT349034(T) 申请公布日期 2007.01.15
申请号 AT20030711440T 申请日期 2003.03.06
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 SCHENKER, RICHARD;ALLEN, GARY
分类号 G03F1/00;G03F1/26;G03F1/32;G03F7/00;G03F7/20;G06F17/50;H01L23/58;H01L29/06 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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