| 发明名称 |
COUCHE DE SILICIUM TRES SENSIBLE A L'OXYGENE ET PROCEDE D'OBTENTION DE CETTE COUCHE |
| 摘要 |
Couche de silicium très sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche.Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure 3x2. Pour l'obtenir, on peut déposer de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.
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| 申请公布号 |
FR2888398(A1) |
申请公布日期 |
2007.01.12 |
| 申请号 |
FR20050052059 |
申请日期 |
2005.07.05 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE SCIENTIFIQUE TECHNIQUE ET INDUSTRIEL;UNIVERSITE PARIS SUD (PARIS XI) |
发明人 |
SOUKIASSIAN PATRICK;SEMOND FABRICE |
| 分类号 |
H01L21/04;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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