| 主权项 |
1.一种引线框,包含: 一框轨; 一晶粒垫块,系设于框轨内,供安装一半导体晶片 于其上;及 复数内部之内引线,系设置以围绕晶粒垫块且各包 括一凸出部于其底部上; 其中框轨及内部之内引线系利用一引线固定构件 固定于其上及/或下表面上。 2.如申请专利范围第1项之引线框,其中至少一些内 部之内引线系令其凸出部相互隔离,及 其中各该凸出部系由一突出部围绕,其延伸垂直于 内部之内引线之底部,使突出部之顶部较低于凸出 部之顶部。 3.如申请专利范围第1项之引线框,尚包含复数外部 之内引线,其系位于框轨与内部之内引线之间,以 自框轨延伸向内,且其各具有一凸出部于其底部上 。 4.如申请专利范围第1项之引线框,其中晶粒垫块具 有一凹入部于其底部上。 5.一种引线框,包含: 一框轨; 一晶粒垫块,系设于框轨内,供安装一半导体晶片 于其上;及 复数内引线,系设置于框轨与晶粒垫块之间; 其中框轨及内引线系利用一引线固定构件固定于 其上及/或下表面上,及 其中各该内引线具有一凸出部于其底部上,凸出部 系相互间隔,及 其中至少一些凸出部系隔离于相邻之凸出部,而其 他凸出部则由结合/支承构件支承。 6.如申请专利范围第5项之引线框,其中各该凸出部 系由一突出部围绕,其延伸垂直于内引线之底部, 使突出部之顶部较低于凸出部之顶部。 7.如申请专利范围第5项之引线框,其中晶粒垫块具 有一凹入部于其底部上。 8.一种引线框,包含: 一框轨; 一晶粒垫块,系设于框轨内,供安装一半导体晶片 于其上; 复数突块,系设置于框轨与晶粒垫块之间;及 复数内引线,系供电气性接合一些突块; 其中框轨及突块系利用一引线固定构件固定于其 上及/或下表面上,及 其中各该内引线系接合二相邻突块之间之相关联 突块,及 其中内引线之顶部几乎等高于二相邻突块之顶部, 同时内引线之底部较高于二相邻突块之底部,及 其中当以垂直于内引线延伸之方向来看时,各该突 块具有一机面形状,使得突块之一上部,其各侧面 面向相关联内引线之一侧面,具有一减小之宽度。 9.一种制造一引线框之方法,包含以下步骤: a)自单一金属板制出一框轨、一晶粒垫块、多数 内部之内引线部及多数外部之内引线部,其中晶粒 垫块系由自框轨向内延伸之结合/支承构件支承, 内部之内引线部系连接于晶粒垫块以利围绕晶粒 垫块,且外部之内引线部连接于框轨; b)制成凸出部于内部与外部之内引线部之各别部 分中,使制成于相关联内部之内引线部之部分中之 各该凸出部系间隔于晶粒垫块,且制成于相关联外 部之内引线部之部分中之各该凸出部系间隔于框 轨,凸出部制成于内部与外部之内引线部之各别表 面上,且相对立于将供一晶片安装于其上之一晶粒 垫块表面上; c)放置一引线固定构件于至少内部之内引线部与 框轨之各别表面上,且藉此以固定构件将内部之内 引线部与框轨固定,供固定构件放置于其上之表面 系相同于,或相对立于,将供晶片安装于其上之晶 粒垫块表面;及 d)自至少一些内部之内引线部去除其位于凸出部 与晶粒垫块之间之各别部分,藉此制成已选择性隔 离于晶粒垫块之内部之内引线。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由蚀刻去除将制成相关联凸出部于其 内之各该内部之内引线部之部分与晶粒垫块之间 之一部分金属板,及将制成相关联凸出部于其内之 各该外部之内引线部之部分与框轨之间之另一部 分金属板而制成,诸部分系自金属板之一表面蚀刻 去除且相对立于将供晶片安装于其上之晶粒垫块 表面。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由冲压将制成相关联凸出部于其内之 各该内部之内引线部之部分与晶粒垫块之间之一 部分金属板,及将制成相关联凸出部于其内之各该 外部之内引线部之部分与框轨之间之另一部分金 属板而制成,诸部分系在金属板之一表面上冲压且 相对立于将供晶片安装于其上之晶粒垫块表面。 12.如申请专利范围第9项之方法,其中在步骤d)中, 凸出部系利用切削装置切除凸出部与晶粒垫块间 之内部之内引线部之各别部分而隔离于晶粒垫块 。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中切削装置具 有一切削面,系大致平行于凸出部与晶粒垫块之各 别上表面。 14.一种制造一引线框之方法,包含以下步骤: a)自单一金属板制出一框轨、多数内引线部及一 晶粒垫块,其中内引线部系由自框轨向内延伸之第 一群结合/支承构件支承,且由第二群结合/支承构 件结合; b)制成凸出部于内引线部之一表面上,使凸出部相 互间隔,该表面系相对立于将供一晶片安装于其上 之一晶粒垫块表面; c)放置一引线固定构件于内引线部与框轨之各别 表面上,且藉此以固定构件将内引线部与框轨固定 ,供固定构件放置于其上之表面系相同于,或相对 立于,将供晶片安装于其上之晶粒垫块表面;及 d)藉由自用于内引线部之至少一些第二群结合/支 承构件去除其位于相邻凸出部间或相邻之其中一 凸出部与晶粒垫块间之各别部分,以选择性隔离内 引线部。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由蚀刻去除各该第二群结合/支承构件 之一部分而制成,该欲蚀刻去除之部分系位于将制 成凸出部处之相关联内引线部之诸部分之间,或将 制成凸出部处之相关联内引线部之部分与晶粒垫 块之间,该部分系自第二群结合/支承构件之一表 面蚀刻去除且相对立于将供晶片安装于其上之晶 粒垫块表面。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由冲压各该第二群结合/支承构件之一 部分而制成,该欲冲压之部分系位于将制成凸出部 处之相关联内引线部之诸部分之间,或将制成凸出 部处之相关联内引线部之部分与晶粒垫块之间,该 部分系在第二群结合/支承构件之一表面上冲压且 相对立于将供晶片安装于其上之晶粒垫块表面。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中在步骤d)中, 一设于相关联凸出部之间或其中一相关联凸出部 与晶粒垫块之间之各选择第二群结合/支承构件之 一部分系利用切削装置切除,藉此使凸出部相互隔 离或隔离于晶粒垫块。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中切削装置具 有一切削面,系大致平行于凸出部与晶粒垫块之各 别上表面。 19.一种制造一引线框之方法,包含以下步骤: a)自单一金属板制出一框轨、突块、内引线及一 晶粒垫块,其中突块系由自框轨向内延伸之结合/ 支承构件支承且系结合以呈相互间隔,内引线系电 气性接合一些突块且晶粒垫块具有一将供晶片安 装于其上之表面; b)放置一引线固定构件于突块与框轨之各别表面 上,且藉此以固定构件将突块与框轨固定,供固定 构件放置于其上之表面系相同于,或相对立于,将 供晶片安装于其上之晶粒垫块表面;及 c)自至少一些结合/支承构件去除其位于相邻突块 之间之各别部分,藉此选择性隔离突块。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中步骤a)包含 以下步骤: 藉由自其将供晶片安试于上之一表面蚀刻去除金 属板之各别部分至大约金属板之一半厚度,以自突 块之间之结合/支承构件制出内引线,同时遮罩将 做为突块各别中央部且延伸平行于相关联结合/支 承构件之金属板之其他部分,且亦遮罩将做为相关 联突块之间之内引线之金属板之又其他部分;及 自其另一表面蚀刻去除金属板之再其他部分,且相 对立于将安装晶片于上之表面,将做为突块之金属 板部分系遮罩于相对立表面,使突块与内引线相互 隔离。 21.一种树脂封装之半导体装置包含: 一晶粒垫块; 一半导体晶片,系结合于晶粒垫块上; 复数内引线,系在晶粒垫块与装置之一侧之间配置 成三或较多纵列与横列,以利围绕晶粒垫块且其至 少有一些呈隔离;及 一树脂封囊,系一起封装晶片、晶粒垫块及内引线 ,以利于曝露内引线之一表面,且相对立于已结合 晶片于其上之一晶粒垫块表面, 其中晶粒垫块及内引线系由单一金属板制成。 22.如申请专利范围第21项之装置,其中各该内引线 具有一凸出部于其底部上,凸出部之顶部系曝露出 树脂封囊外,及 其中一突出部延伸垂直于内引线之底部以使突出 部之顶部较低于凸出部之顶部,其系制成于凸出部 周侧。 23.如申请专利范围第21项之装置,其中晶粒垫块具 有一凹入部于其底部上。 24.如申请专利范围第21项之装置,其中与一内引线 系曝露出树脂封囊之侧表面外。 25.一种树脂封装之半导体装置包含: 一晶粒垫块; 一半导体晶片,系结合于晶粒垫块上; 复数突块,系设于晶粒垫块周侧,至少一些突块系 呈隔离; 复数内引线,系设于晶粒垫块周侧,供电气性接合 一些突块;及 一树脂封囊,系一起封装晶片、晶粒垫块及内引线 ,以利于曝露突块之一表面,且相对立于已结合晶 片于其上之一晶粒垫块表面, 其中各该内引线系接合二相邻突块之间之相关联 突块,及 其中内引线之顶部几乎等高于二相邻突块之顶部, 同时内引线之底部较高于二相邻突块之底部,及 其中当以垂直于内引线延伸之方向来看时,各该突 块具有一截面形状,使得突块之一上部,其各侧面 面向相关联内引线之一侧面,具有一减小之宽度。 26.一种制造一树脂封装之半导体装置之方法,包含 以下步骤: a)自单一金属板制出框轨、晶粒垫块及多组内部 与外部之内引线部,其中各该晶粒垫块系由自一相 关联框轨向内延伸之结合/支承构件支承,各该组 内部之内引线部系连接于一相关联晶粒垫块以利 围绕晶粒垫块,且各该组外部之内引线部连接于一 相关联框轨; b)制成凸出部于内部与外部之内引线部之各别部 分中,使制成于一相关联内部之内引线部之部分中 之各该凸出部系间隔于相关联晶粒垫块,且制成于 一相关联外部之内引线部之部分中之各该凸出部 系间隔于相关联框轨,凸出部制成于内部与外部之 内引线部之各别表面上,且相对立于将供半导体晶 片结合于其上之一晶粒垫块上表面; c)放置一引线固定构件于至少内部之内引线部与 框轨之各别表面上,且藉此以固定构件将内部之内 引线部与框轨固定,供固定构件放置于其上之表面 系相同于,或相对立于,将供晶片结合于其上之晶 粒垫块上表面; d)自至少一些内部之内引线部去除其位于凸出部 与相关联晶粒垫块之间之各别部分,藉此制成已选 择性隔离于晶粒垫块之内部之内引线,且取得一备 有引线固定构件之引线框; e)结合晶片于引线框之晶粒垫块上表面; f)使用金属细线将晶片电气性连接于隔离之内部 之内引线与外部之内引线部; 若引线固定构件放置于结合晶片于其上之引线框 表面上, g)自已结合晶片于其上之引线框表面上去除引线 固定构件; h)以一树脂封囊一起封装晶片、晶粒垫块、内部 之内引线及外部之内引线部,使内部之内引线及外 部之内引线部之凸出部将其顶部曝露; 若引线固定构件放置于与结合晶片于其上之表面 相对立之引线框另一表面上, i)自引线框之相对立表面去除引线固定构件;及 j)沿着组装于其上之构件,将引线框区分成多数封 装,使各该封装包括至少其中一晶片。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由蚀刻去除将制成相关联凸出部于其 内之各该内部之内引线部之部分与相关联晶粒垫 块之间之一部分金属板,及将制成相关联凸出部于 其内之各该外部之内引线部之部分与相关联框轨 之间之另一部分金属板而制成,诸部分系自金属板 之一表面蚀刻去除且相对立于将供晶片结合于其 上之框轨表面。 28.如申请专利范围第26项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由冲压将制成相关联凸出部于其内之 各该内部之内引线部之部分与相关联晶粒垫块之 间之一部分金属板,及将制成相关联凸出部于其内 之各该外部之内引线部之部分与相关联框轨之间 之另一部分金属板而制成,诸部分系在金属板之一 表面上冲压且相对立于将供晶片结合于其上之框 轨表面。 29.如申请专利范围第26项之方法,其中在步骤d)中, 凸出部系利用切削装置切除凸出部与晶粒垫块间 之内部之内引线部之各别部分而隔离于晶粒垫块 。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中切削装置具 有一切削面,系大致平行于凸出部与晶粒垫块之各 别上表面。 31.如申请专利范围第26项之方法,其中在步骤g)或i) 中,引线固定构件系以化学方式溶解及去除。 32.如申请专利范围第26项之方法,其中在步骤j)中, 引线框系以一细切刃切削。 33.一种制造一树脂封装之半导体装置之方法,包含 以下步骤: a)自单一金属板制出框轨、多组内引线部及晶粒 垫块,其中各该组内引线部系由自相关联框轨向内 延伸之第一群结合/支承构件支承,且由第二群结 合/支承构件结合; b)制成凸出部于内引线部之一表面上,使凸出部相 互间隔,该表面系相对立于将供半导体晶片结合于 其上之一晶粒垫块上表面; c)放置一引线固定构件于内引线部与框轨之各别 表面上,且藉此以固定构件将内引线部与框轨固定 ,供固定构件放置于其上之表面系相同于,或相对 立于,将供晶片结合于其上之晶粒垫块上表面; d)自用于内引线部之至少一些第二群结合/支承构 件去除其位于相邻凸出部间或相邻之其中一凸出 部与相关联晶粒垫块间之各别部分,藉此制成已选 择性隔离于晶粒垫块之内引线,且取得一备有引线 固定构件之引线框; e)结合晶片于引线框之晶粒垫块上表面; f)使用金属细线将晶片电气性连接于隔离之内引 线; 若引线固定构件放置于结合晶片于其上之引线框 表面上, g)自已结合晶片于其上之引线框表面去除引线固 定构件; h)以一树脂封囊一起封装晶片、晶粒垫块、及内 引线,使内引线之凸出部将其顶部曝露; 若引线固定构件放置于与结合晶片于其上之表面 相对立之引线框另一表面上, i)自引线框之相对立表面去除引线固定构件;及 j)沿着组装于其上之构件,将引线框区分成多数封 装,使各该封装包括至少其中一晶片。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由蚀刻去除各该第二群结合/支承构件 之一部分而制成,该欲蚀刻去除之部分系位于将制 成凸出部处之相关联内引线部之诸部分之间,或将 制成凸出部处之相关联内引线部之部分与相关联 晶粒垫块之间,该部分系自第二群结合/支承构件 之一表面蚀刻去除且相对立于将供晶片结合于其 上之引线框表面。 35.如申请专利范围第33项之方法,其中在步骤b)中, 凸出部系藉由冲压各该第二群结合/支承构件之一 部分而制成,该欲冲压之部分系位于将制成凸出部 处之相关联内引线部之诸部分之间,或将制成凸出 部处之相关联内引线部之部分与相关联晶粒垫块 之间,该部分系在第二群结合/支承构件之一表面 上冲压且相对立于将供晶片结合于其上之引线框 表面。 36.如申请专利范围第33项之方法,其中在步骤d)中, 一设于相关联凸出部之间或其中一相关联凸出部 与晶粒垫块之间之各选择第二群结合/支承构件之 一部分系利用切削装置切除,藉此使凸出部相互隔 离或隔离于晶粒垫块。 37.如申请专利范围第36项之方法,其中切削装置具 有一切削面,系大致平行于凸出部与晶粒垫块之各 别上表面。 38.如申请专利范围第33项之方法,其中在步骤g)或i) 中,引线固定构件系以化学方式溶解及去除。 39.如申请专利范围第33项之方法,其中在步骤j)中, 引线框系以一细切刃切削。 40.一种制造一树脂封装之半导体装置之方法,包含 以下步骤: a)自单一金属板制出框轨、多组突块、多组内引 线及晶粒垫块,其中各该组突块系由自相关联框轨 向内延伸之结合/支承构件支承及且系结合以呈相 互间隔,各该组内引线系电气性接合一些突块且各 该晶粒垫块具有一将供晶片结合于其上之上表面; b)放置一引线固定构件于突块与框轨之各别表面 上,且藉此以固定构件将突块与框轨固定,供固定 构件放置于其上之表面系相同于,或相对立于,将 供晶片结合于其上之晶粒垫块上表面; c)自至少一些结合/支承构件去除其位于相邻突块 之间之各别部分,藉此选择性隔离突块,且取得一 备有引线固定构件之引线框; d)结合晶片于引线框之晶粒垫块上表面; e)使用金属细线将晶片电气性连接于隔离之内引 线; 若引线固定构件放置于结合晶片于其上之引线框 表面上, f)自已结合晶片于其上之引线框表面去除引线固 定构件; g)以一树脂封囊一起封装晶片、晶粒垫块、及内 引线,使内引线之凸出部将其顶部曝露; 若引线固定构件放置于与结合晶片于其上之表面 相对立之引线框另一表面上, h)自引线框之相对立表面去除引线固定构件;及 i)沿着组装于其上之构件,将引线框区分成多数封 装,使各该封装包括至少其中一晶片。 41.如申请专利范围第40项之方法,其中步骤a)包含 以下步骤: 藉由自其将供晶片结合于上之一表面蚀刻去除金 属板之各别部分至大约金属板之一半厚度,以自突 块之间之结合/支承构件制出内引线,同时遮罩将 做为突块各别中央部且延伸平行于相关联结合/支 承构件之金属板之其他部分,且亦遮罩将做为相关 联突块之间之内引线之金属板之又其他部分;及 自其另一表面蚀刻去除金属板之再其他部分,且相 对立于将结合晶片于上之表面,将做为突块之金属 板部分系遮罩于相对立表面,使突块与内引线相互 隔离。 图式简单说明: 图1系一底视图,说明在引线框之内部之内引线部 隔离之前,本发明之第一实施例之一引线框部包括 一引线框之其中一晶粒垫块。 图2系一底视图,说明在内部之内引线部隔离之前, 第一实施例之引线框部包括引线框之其中一晶粒 垫块。 图3A至3D系局部截面图,说明制成第一实施例引线 框之各别制程步骤。 图4A至4D系局部截面图,说明制成第一实施例变更 实例之一引线框之各别制程步骤。 图5A、5B分别为一平面图与一截面图,系沿图5A之线 Vb-Vb所取,说明本发明第二实施例之一树脂封装之 半导体装置。 图6A系一底视图,说明在引线框之突块隔离前,本发 明第三实施例之一引线框部包括一引线框之其中 一晶粒垫块;及 图6B系沿图6A中之线VIb-VIb所取之截面图。 图7A系一底视图,说明在突块隔离后,第三实施例之 引线框部包括引线框之其中一晶粒垫块;及 图7B系沿图7A中之线VIIb-VIIb所取之截面图。 图8A系一底视图,说明在引线框之突块隔离后,第三 实施例变更实例之一引线框部包括一引线框之其 中一晶粒垫块;及 图8B系沿图8A中之线VIIIb-VIIIb所取之截面图。 图9A、9B、9C及9D分别系平面、前视、右侧视及底 视图,说明本发明第四实施例之一树脂封装之半导 体装置。 图10A、10B、10C及10D分别系平面、前视、右侧视及 底视图,说明第四实施例变更实例之一树脂封装之 半导体装置。 图11A系一局部平面图,说明在突块相互隔离后,本 发明第五实施例之一引线框;及 图11B系沿图11A中之线XIb-XIb所取之局部截面图。 图12系一平面图,说明一习知引线框。 图13系一截面图,说明一习知树脂封装之半导体装 置。 |
