| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含: 于半导体基板的上方部分形成一光阻图案; 以该光阻图案作为光罩进行处理;及 于使该半导体基板保持水平而旋转的状态下,将光 阻剥除液体供应至该半导体基板之光阻图案形成 表面,而进行剥除光阻图案; 其中该剥除光阻图案的步骤包含: 第一步骤,一面以相对较高之速度旋转该半导体基 板,一面供应该光阻剥除液体至该光阻图案形成表 面;及 第二步骤,于该第一步骤之后,一面以相对较低之 速度旋转该半导体基板,一面供应该光阻剥除液体 至该光阻图案形成表面。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中于进行处理的步骤中,以光阻图案作为光罩对 于基板的整个表面进行离子植入。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中于该离子植入的剂量不小于1014cm-2,并将因为 该离子植入而在光阻图案内产生的光阻硬化层藉 由该第二步骤剥除。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 更包含: 于设在该半导体基板上的一膜上形成该光阻图案; 及 于该进行处理的步骤中,以该光阻图案作为光罩, 选择性进行导电膜的乾式蚀刻,而形成该膜的细微 图案。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中该细微图案具有宽度不超过150 nm的部分。 6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中该细微图案具有宽度不超过150 nm且其高度对 其宽度之比不小于1的部分。 7.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中该细微图案为闸图案。 8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法, 其中该闸图案为具有含Si及Ge的SiGe层之SiGe闸图案 。 9.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法, 其中该闸图案为多晶体或非晶型矽闸图案。 10.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法 ,其中该细微图案为金属闸图案。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中使用包括卡罗氏酸的液体作为该光阻剥除液 体。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中该光阻剥除液体为有机溶剂。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中将含有酸的第一种液体及含有过氧化氢之第 二种液体于密闭空间内混合,采用得到的混合物作 为该光阻剥除液体,并使该光阻剥除液体经由喷嘴 供应至该光阻图案形成表面。 14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方 法,其中预先将该第一种液体或该第二种液体加热 至预定温度。 15.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方 法,其中该第一种液体为硫酸及该第二种液体为双 氧水。 16.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中在该第一步骤前,包括提供硫酸至该半导体 基板的光阻图案形成表面之制程。 17.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中使该光阻剥除液体经由多个喷嘴供应至该光 阻图案形成表面。 18.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,其中预先使该光阻剥除液体加热成为预定温度, 而后使该光阻剥除液体供应至该光阻图案形成表 面。 19.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法 ,更包含: 在剥除该光阻图案的步骤后,实施该半导体基板的 冲洗处理; 于实施冲洗处理的步骤中,将冲洗液体供应至半导 体基板上而实施冲洗处理;及 一面由该旋转单元旋转半导体基板,一面将该保持 水平的半导体基板加以乾燥。 20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方 法,其中该冲洗液体为硷液、电解阴极水、或溶存 有氢气之水。 21.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方 法,更包含: 将光阻图案已剥除的该半导体基板,用氢氟酸加以 洗净;及 将经氢氟酸洗净过的该半导体基板,用氨水及双氧 水之混合液加以洗净。 22.一种光阻剥除洗净装置,具有一单晶圆方式用的 处理室,该光阻剥除洗净装置包含: 一维持单元,用以维持半导体基板; 一旋转单元,用以旋转由该维持单元所维持的半导 体基板; 一洗净液体供应单元,用以供应光阻剥除液体到由 该维持单元所维持的半导体基板上; 一冲洗液体供应单元,用以供应冲洗液体到由该维 持单元所维持的半导体基板上; 一加热单元,用以加热光阻剥除液体;及 一热绝缘单元,用以将加热过的光阻剥除液体施以 热绝缘。 23.一种光阻剥除洗净装置,具有单晶圆方式用的第 一处理室及单晶圆方式用的第二处理室,其中: 该单晶圆方式用的第一处理室包含: 一维持单元,用以维持半导体基板; 一旋转单元,用以旋转由该维持单元所维持的半导 体基板; 一洗净液体供应单元,用以供应酸性光阻剥除液体 到由该维持单元所维持的半导体基板上;及 一冲洗液体供应单元,用以供应冲洗液体到由该维 持单元所维持的半导体基板上,且 该单晶圆方式用的第二处理室包含: 一维持单元,用以维持半导体基板; 一旋转单元,用以旋转由该维持单元所维持的半导 体基板; 一洗净液体供应单元,用以供应硷性光阻剥除液体 到由该维持单元所维持的半导体基板上;及 一冲洗液体供应单元,用以供应冲洗液体到由该维 持单元所维持的半导体基板上。 24.如申请专利范围第23项之光阻剥除洗净装置,更 包含: 一加热单元,用以加热光阻剥除液体;及 一热绝缘单元,用以将加热过的光阻剥除液体施以 热绝缘。 图式简单说明: 图1为本发明之光阻剥除洗净装置的处理室之概略 构造图; 图2为显示光阻剥除制程后晶圆表面上的颗粒数目 之评估结果的图示; 图3为显示光阻剥除制程后黏着至晶圆表面之金属 (Ge)量之评估结果的图示; 图4为显示光阻剥除制程后晶圆表面之产生图案剥 离数目之评估结果的图示; 图5为于一实施例中执行的一制程之制程剖视图; 图6为显示于一实施例中执行的一制程中晶圆的转 速之转变过程的图示; 图7为显示于实施例中的洗净效果的图示; 图8(1至5)为概略显示光阻剥除制程的图示; 图9为显示于实施例中的洗净效果的图示; 图10为显示于实施例中的洗净效果的图示; 图11为根据一实施例之基板处理装置100之概略构 造图; 图12为显示一基板载置台之构造实例的图示; 图13为显示混合部之构造实例的图示; 图14为根据实施例之基板处理装置100之概略构造 图; 图15A、15B为说明喷嘴及半导体基板之间的位置关 系的图示; 图16为实施例中之基板处理装置之概略构造图; 图17为包括混合部、管线及喷嘴之部分的放大图; 图18为显示晶圆的转速之转变过程的图示; 图19为显示晶圆的转速之转变过程的图示; 图20为显示晶圆的转速之转变过程的图示; 图21为显示晶圆的转速之转变过程的图示;及 图22为显示混合部之构造实例的图示; |
