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1.一种晶圆保护层的制作方法,适用于具有一主动 表面之一晶圆,该晶圆之该主动表面上具有多数个 焊垫及一第一保护层,且该第一保护层暴露出该些 焊垫,该晶圆保护层的制作方法包括: 形成一重配置线路层于该第一保护层及该些焊垫 上,且该重配置线路层系与该些焊垫电性连接; 于该晶圆上形成一第二保护层,以覆盖该重配置线 路层; 进行一第一固化程序,以固化该第二保护层; 图案化该第二保护层,以使该第二保护层暴露出该 重配置线路层的部分区域; 进行一清洗程序于该晶圆之该第二保护层上;以及 进行一第二固化程序,以再次固化该第二保护层。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆保护层的制作 方法,其中该第一固化程序及该第二固化程序包括 一热处理与/或一光化学处理。 3.如申请专利范围第2项所述之晶圆保护层的制作 方法,其中该光化学处理包括紫外光固化。 4.如申请专利范围第1项所述之晶圆保护层的制作 方法,其中该第二保护层之材质包括聚亚醯胺以及 苯环丁烯其中之一。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆保护层的制作 方法,其中该清洗程序包括电浆清洗。 6.一种晶圆凸块的制作方法,包括: 提供一晶圆,其中该晶圆具有一主动表面,且该主 动表面上具有多数个焊垫及一第一保护层,且该第 一保护层暴露出该些焊垫; 形成一重配置线路层于该第一保护层及该些焊垫 上,且该重配置线路层系与该些焊垫电性连接; 于该晶圆上形成一第二保护层,以覆盖该重配置线 路层; 进行一第一固化程序,以固化该第二保护层; 图案化该第二保护层,以使该第二保护层暴露出该 重配置线路层的部分区域; 进行一清洗程序于该晶圆之该第二保护层上; 进行一第二固化程序,以再次固化该第二保护层; 以及 进行一凸块制程于该第二保护层暴露之该重配置 线路层的部分区域。 7.如申请专利范围第6项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中在该凸块制程之后,更包括进行一单体化 制程,以得到多数个覆晶晶片。 8.如申请专利范围第6项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中该凸块制程包括: 于该第二保护层所暴露出之该重配置线路层的部 分区域上形成多数个球底金属层;以及 于每一该些球底金属层上形成一凸块。 9.如申请专利范围第6项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中该第一固化程序及该第二固化程序包括一 热处理与/或一光化学处理。 10.如申请专利范围第9项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中该光化学处理包括紫外光固化。 11.如申请专利范围第6项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中该第二保护层之材质包括聚亚醯胺以及苯 环丁烯其中之一。 12.如申请专利范围第6项所述之晶圆凸块的制作方 法,其中该清洗程序包括电浆清洗。 图式简单说明: 图1绘示为习知之一种覆晶晶片的剖面示意图。 图2A-2H依序绘示为本发明之较佳实施例之一种晶 圆凸块之制作方法的示意图。 图3绘示为本发明之晶圆凸块的制作流程图。 |
