| 主权项 |
1.一种切割一非金属基质之方法,其包含: 将一第一雷射光束施加到复数个以矩阵构造布置 于一非金属基质上之细胞的第一切割线,以便使该 等细胞自非金属基质分离,其中该等细胞各包含第 一、第二、第三与第四边缘部分,且其中各第一切 割线系沿着相反的第一与第二边缘部分所形成;及 将雷射光束施加到该等细胞之第二切割线,以便使 该等细胞彼此分离,其中该第二切割线系沿着相反 的第三与第四边缘部分所形成。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中从该非金属基 质分离细胞之步骤包含: 从一切割起始点沿着第一切割线将一第一雷射光 束施加一段预定距离,以便于该第一切割线上形成 一初始裂缝,其中该第一与第二边缘部分于切割起 始点系与第一切割线相接触; 将一第二雷射光束从初始裂缝施加到该第一切割 线之一尾端部分,其中该第二雷射光束之能量系低 于第一雷射光束的能量; 使用一冷却剂冷却该第一切割线,以便于该第一切 割线上形成一划分线裂缝;及 将一第三雷射光束施加到该划分线裂缝,以便沿着 该第一切割线形成一切割表面。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一雷射光 束对于非金属基质之波长吸收率约为90%或更高。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该非金属基质 系为一玻璃基质,且该第一雷射光束系为一第四谐 波YAG雷射,其波长为266奈米。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中该第一雷射光 束对于非金属基质之波长吸收率约为10%到15%。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该非金属基质 系为一玻璃基质,且该第一雷射光束系为一第三谐 波YAG雷射,其波长为355奈米。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中使该等细胞彼 此分离之步骤包含: 从一切割起始点沿着第二切割线将一第一雷射光 束施加一段预定距离,以便于该第二切割线上形成 一初始裂缝,其中该第三与第四边缘部分于切割起 始点系与第二切割线相接触; 将一第二雷射光束从初始裂缝施加到该第二切割 线之一尾端部分,其中该第二雷射光束之能量系低 于第一雷射光束的能量;及 使用一冷却剂冷却该第二切割线,以便于该第二切 割线上形成一划分线裂缝。 8.如申请专利范围第7项之方法,其进一步包含之步 骤为将一雷射光束施加到划分线裂缝,以便沿着该 第二切割线形成一切割表面。 9.一种切割一非金属基质之方法,其包含: 将一第一雷射光束施加到配置于非金属基质上之 一细胞的第一切割线,以形成一第一裂缝,其中该 细胞包含第一、第二、第三与第四边缘部分,第一 切割线系沿着相对之第一与第二边缘部分所形成, 且该第一裂缝系形成于第一与第二边缘部分上; 将一第二雷射光束自一交叉点沿着一第二切割线 施加一段预定距离,以形成一交叉裂缝,其中该第 二切割线与第一裂缝相交,并于交叉点与第一裂缝 相接触; 将一第三雷射光束施加到该第二切割线上,该第三 雷射光束之能量系低于第二雷射光束; 使用一冷却剂冷却该第二切割线,以便于该第二切 割线之一部分上形成一第一划分线裂缝; 将一第三雷射施加于交叉裂缝上;及 使用一冷却剂冷却该第二切割线,以便于该第二切 割线之其余部分上形成一第二划分线裂缝。 10.如申请专利范围第9项之方法,其进一步包含之 步骤为将一第四雷射光束施加到第一与第二划分 线裂缝,以便沿着该第一与第二划分线裂缝形成一 切割表面。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中该非金属基 质系为一玻璃基质,且第二雷射光束系为一波长为 266奈米之第四谐波YAG雷射。 12.如申请专利范围第9项之方法,其中该非金属基 质系为一玻璃基质,且第二雷射光束系为一波长为 355奈米之第三谐波YAG雷射。 13.一种用以切割一非金属基质之装置,其包含: 一第一雷射供应部件,用以从一切割起始点沿着一 非金属基质之一切割线施加一预定距离,以便形成 一初始裂缝;其中该非金属基质之边缘部分于切割 起始点系与切割线相接触;及 一划分线成形部件,用以从该初始裂缝施加一第二 雷射光束到切割线之一尾端部分,该第二雷射光束 之能量系低于第一雷射光束的能量;并使用一冷却 剂冷却该切割线,以便于该切割线上形成一划分线 裂缝。 14.如申请专利范围第13项之装置,其进一步包含一 第三雷射光束供应部件,用以将一第三雷射光束施 加到划分线裂缝,以便沿着切割线形成一切割表面 。 15.如申请专利范围第13项之装置,其中该第一雷射 光束对于非金属基质之波长吸收率约为90%或更高 。 16.如申请专利范围第15项之装置,其中该非金属基 质系为一玻璃基质,且该第一雷射光束系为一波长 为266奈米之第四谐波YAG雷射。 17.如申请专利范围第13项之装置,其中该第一雷射 光束对于非金属基质之波长吸收率约为10%到15%。 18.如申请专利范围第17项之装置,其中该非金属基 质系为一玻璃基质,且该第一雷射光束系为一波长 为355奈米之第四谐波YAG雷射。 19.如申请专利范围第13项之装置,其中该第二与第 三雷射光束分别系为一二氧化碳雷射光束。 图式简单说明: 第1A到1E图系为简图,其显示一种切割一玻璃基质 之习用方法; 第2图系为根据本发明之一实施例的标绘图,其显 示一雷射光束对于波长之光线透射比; 第3到4E图系为简图,用以根据本发明之一实施例说 明一种切割一非金属基质之方法; 第5A到5C图系为简图,用以根据本发明之另一实施 例,说明一种切割一具有先前切割表面之非金属基 质的方法; 第6A到6D图系为简图,其用以根据本发明之另一实 施例,说明一种切割细胞之方法;及 第7图系为一区块图,根据本发明之进一步实施例 显示一种用以切割一非金属基质之装置。 |
