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1.一种光阻用剥离液组成物,其特征在于以JIS(日本 工业标准Z8730规定的下式1表示的L*a*b*表示色之色 差(E*ab)在30-180(基准値:纯水)之光阻用剥离液组 成物, E*ab=[(L*)2+(a*)2+(b*)2]1/2 ……(1) 上式(1)中,L*,a*,b*系各自表示JIS Z 8729规定的 L*a*b*表色系之二个物体色之CIE1976明度指数L*之差, 色座标(色度指数)a*,b*之差,且L*,a*,b*系各自以下式 2,3求得;惟下式2,3不论何者均适用于X/Xn,Y/Yn,Z/Zn表 示超过0.008856之値的情形; L*=116(Y/Yn)1/3-16 ……(2) (式2内,Y表示于XYZ表色系(CIE在1931年规定的表色系) 之三刺激値之値;Yn表示完全扩散反射面之利用标 准光之Y之値) a*=500[(X/Xn)1/3-(Y/Yn)1/3] b*=200[(Y/Yn)1/3-(Z∕Zn)1/3] ……(3) (式3内,X,Y,Z表示于XYZ表色系之三刺激値;Xn,Yn,Zn系 表示于完全扩散反射面之XYZ表色系之三刺激値)。 2.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液组成物,上 述色差(E*ab)为50-140。 3.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液组成物,系 再对500nm之波长光的透光率在70%以下(水管长=1 cm) 。 4.如申请专利范围第1项之光阻用剥离液组成物,系 含有至少芳香族羟基化合物之氧化物(惟芳香族羟 基化合物中酚性-OH基之一部分-全部经予转换成=O 基者)。 5.一种光阻剥离方法,其特征在于含有 (I)于已形成金属层之基板上设有光阻层之步骤, (Ⅱ)将该光阻层选择性的曝光之步骤, (Ⅲ)将曝光后之光阻层显影并设置光阻图案之步 骤, (Ⅳ)以该光阻图案为掩膜进行选择性蚀刻该基板 之步骤,及 (Ⅴ)由基板剥离蚀刻后之光阻图案的步骤之光阻 剥离方法,采用申请专利范围第1项至第4项之任一 项之光阻用剥离液组成物,以剥离蚀刻后之光阻图 案而成。 6.如申请专利范围第5项之光阻剥离方法,系于基板 上再予形成无机膜。 7.如申请专利范围第6项之光阻剥离方法,其中无机 膜系多矽(poly-Si)膜。 8.一种光阻剥离方法,其特征在于含有 (I)于已形成金属层之基板上设有光阻层的步骤, (Ⅱ)将该光阻层选择性的曝光之步骤, (Ⅲ)将曝光后之光阻层显影并设置光阻图案之步 骤, (Ⅳ)以该光阻图案为掩膜进行选择性蚀刻该基板 之步骤,及 (Ⅴ)将光阻图案予以灰化的步骤,及 (Ⅵ)由基板剥离蚀刻后之光阻图案的步骤之光阻 剥离方法,采用申请专利范围第1项至第4项之任一 项之光阻用剥离液组成物,以剥离蚀刻后之光阻图 案而成。 9.如申请专利范围第8项之光阻剥离方法,系于基板 上再予形成无机膜。 10.如申请专利范围第9项之光阻剥离方法,其中无 机膜系多矽(poly-Si)膜。 |
