| 主权项 |
1.一种制造具有结晶相玻璃陶瓷材料之方法,该方 法包含下列步骤: 提供具有预先决定孔隙尺寸及分布之多孔性玻璃 基质; 以玻璃陶瓷材料结晶相之掺杂剂前身产物渗入多 孔性玻璃基质,掺杂剂前身产物通常为流体形式; 前身产物化学地反应以形成所需要之掺杂剂,以及 其中所形成玻璃陶瓷材料为磁性以及对接近红外 线频谱波长之光线为光学透明的。 2.依据申请专利范围第1项之方法,其中掺杂剂包含 玻璃陶瓷结晶相以及更进一步包含一种化合物由 BaFe12O19,ZnCr2O4,以及AFe2O4选取出,其中A为Co,Cu,Fe,Mg,Mn ,Ni,Zn及其混合物。 3.依据申请专利范围第1项之方法,其中包含固结掺 杂玻璃基质以形成密实之玻璃陶瓷材料。 4.依据申请专利范围第2项之方法,其中玻璃陶瓷材 料呈现出饱和磁化为大于0.05emu/g。 5.依据申请专利范围第4项之方法,其中玻璃陶瓷材 料在波长为800及2600nm之间呈现出消失系数为小于 20dB/mm。 6.依据申请专利范围第1项之方法,其中提供多孔性 玻璃基质步骤更进一步包含: 提供硼矽酸盐玻璃基质具有富矽石第一相以及富 硼酸盐第二相,富硼酸盐第二相可溶解于溶剂中; 以及 使用溶剂由富矽石第一相分离富硼酸盐第二相使 多孔性玻璃基质具有预先决定孔隙尺寸以及分布 。 7.依据申请专利范围第1项之方法,其中掺杂剂前身 产物以流体渗入多孔性玻璃基质,该流体包含水溶 液,有机溶剂溶液或熔融盐类。 8.依据申请专利范围第1项之方法,其中在掺杂剂渗 入多孔性玻璃基质步骤后,该方法更进一步包含下 列步骤: 藉由施加热量乾燥掺杂之玻璃基质。 9.依据申请专利范围第1项之方法,其中更进一步包 含在乾燥步骤后,以玻璃陶瓷材料结晶相之掺杂剂 前身产物第二次渗入多孔性玻璃基质,掺杂剂前身 产物通常为液体形式。 10.依据申请专利范围第1项之方法,其中在渗入掺 杂剂至多孔性玻璃基质后,该方法更进一步包含下 列步骤: 在乾燥后残留在多孔性玻璃基质孔隙中部份掺杂 剂前身产物化学地反应,在掺杂剂前身产物中产生 化学转变或两者以形成所需要磁性结晶相。 11.依据申请专利范围第10项之方法,其中化学反应 步骤包含将掺杂剂转变为不溶解化合物使后续能 够更进一步进行掺杂。 12.依据申请专利范围第1项之方法,其中更进一步 包含在900℃及1250℃之间固结掺杂之玻璃基质。 13.依据申请专利范围第1项之方法,其中更进一步 在975℃及1050℃温度间固结掺杂之玻璃基质。 14.依据申请专利范围第1项之方法,其中掺杂剂包 含含有硷土,或过渡金属硝酸盐以及掺杂剂前身产 物由含Fe化合物所构成。 15.一种玻璃陶瓷材料,该玻璃陶瓷材料为磁性以及 在800nm及2600nm波长之间消失系数为小于20dB/mm。 16.依据申请专利范围第15项之玻璃陶瓷材料,其中 材料包含: 具有预先决定孔隙率之第一玻璃相;以及 第二结晶相包含一种或多种含Fe微小晶质结构完 全分布玻璃相,一种或多种含Fe微小晶质结构被限 制于第一玻璃相预先决定孔隙体积中。 17.依据申请专利范围第16项之玻璃陶瓷材料,其中 玻璃陶瓷材料呈现出饱和磁化为大于0.05emu/g。 18.依据申请专利范围第17项之玻璃陶瓷材料,其中 玻璃陶瓷材料在800及2600nm波长之间呈现出消失系 数为小于6dB/mm。 19.依据申请专利范围第17项之玻璃陶瓷材料,其中 玻璃陶瓷材料在1550nm波长下呈现出消失系数为小 于6dB/mm。 20.依据申请专利范围第16项之玻璃陶瓷材料,其中 玻璃陶瓷材料之结晶相包含一种化合物由BaFe12O19, ZnCr2O4,以及AFe2O4选取出,其中A为Co,Cu,Fe,Mg,Mn,Ni,Zn及 其混合物。 21.依据申请专利范围第16项之玻璃陶瓷材料,其中 玻璃陶瓷结晶相由MnFe2O4所构成。 图式简单说明: 第一图为依据本发明制造玻璃陶瓷材料之处理过 程步骤流程图。 第二图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 经选择MnFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的磁滞回路。 第三图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M BaFe12O19之玻璃陶瓷材料试样的磁滞回路。 第四图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M CoFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的磁滞回路。 第五图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M CuFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的磁滞回路。 第六图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 0.1M FeFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的光学消失度。 第七图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M CoFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的光学消失度。 第八图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M MnFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的光学消失度。 第九图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M NiFe2O4之玻璃陶瓷材料试样的光学消失度。 第十图为曲线图,其显示出依据本发明制造出掺杂 1.5M铁磁体之玻璃陶瓷材料试样的光学消失度比较 。 |
