| 主权项 |
1.一种乾蚀刻方法,是经由形成有预定图案的遮罩 层蚀刻有机反射防止膜的乾蚀刻方法, 其特征为除了藉由使用包含CF4气体及O2气体之蚀 刻气体的等离子体蚀刻来蚀刻前述有机反射防止 膜,还将前记遮罩层及前记有机反射防止膜予以横 向蚀刻,进行线宽的修整。 2.如申请专利范围第1项的乾蚀刻方法,其中, 前述预定图案具有相邻图案彼此接近而配置得较 密的部分;以及相邻图案彼此分开而配置得较疏的 部分;且将前记配置得较密的部分与前记配置得较 疏的部分予以大略均匀地修整。 3.如申请专利范围第1项的乾蚀刻方法,其中,令前 记蚀刻气体的O2气体流量╱(CF4气体流量+O2气体流 量)有所变化而控制前记修整的量。 4.如申请专利范围第1项的乾蚀刻方法,其中,使施 加于下部电极的高频电力之电力密度改变以控制 修整量。 5.如申请专利范围第1项的乾蚀刻方法,其中,前记 有机反射防止膜之下形成有氧化矽磨。 6.如申请专利范围第5项的乾蚀刻方法,其中, 前述遮罩层是由ArF光阻剂所构成。 7.如申请专利范围第6项的乾蚀刻方法,其中,在前 记有机反射防止膜蚀刻后,以含有CF4气体和CHF3气 体的混合气体来蚀刻前记氧化矽膜。 8.一种乾蚀刻方法,是隔着预定图案的遮罩层蚀刻 有机反射防止膜的乾蚀刻方法, 其特征为除了藉由使用包含N2气体及O2气体之蚀刻 气体的等离子体蚀刻来蚀刻前述有机反射防止膜, 还将前记遮罩层及前记有机反射防止膜予以横向 蚀刻,进行线宽的修整。 9.如申请专利范围第8项的乾蚀刻方法,其中, 前述预定图案具有相邻图案彼此接近而配置得较 密的部分;以及相邻图案彼此分开而配置得较疏的 部分;且将前记配置得较密的部分与前记配置得较 疏的部分予以大略均匀地修整。 10.如申请专利范围第8项的乾蚀刻方法,其中,前记 蚀刻气体,是含有略同量的N2气体和O2气体。 图式简单说明: 第1图是用来说明本发明一实施形态的晶圆剖面的 构成模式图。 第2图是本发明一实施形态所使用的装置的构成例 示图。 第3图是本发明一实施形态中的图案的构成说明图 。 第4图是第1实施例中的CD位移的测量结果图。 第5图是第2实施例中的CD位移的测量结果图。 第6图是用来说明本发明其他实施形态的晶圆剖面 的构成模式图。 第7图是气体流量比与修整量的关系的测量结果图 。 第8图是用来说明习知技术的晶圆剖面的构成模式 图。 第9图是习知技术中的图案的构成说明图。 第10图是比较例中的CD位移的测量结果图。 |
