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1.一种形成直接接触洞的方法,该直接接触洞用以 电子式存取位于一基础结构之一第一与一第二金 属导体,该基础结构系包含一层间介电层设置于一 石英基底上并覆盖于该第一金属导体上,其中该第 一金属导体系设置于一第一导体垫区域中至少部 分该石英基底上,以及该第二金属导体系设置于一 第二导体垫区域中至少部分该层间介电层上,该方 法系包括下列步骤: 沈积一保护层于一基础结构(base structure)上; 根据一图案以图案化该保护层; 蚀刻该保护层;以及 蚀刻该层间介电层。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该方法系 用于一具有该基础结构之平面显示装置一阴极阵 列中,该第二导体上覆盖一铬层,且该方法不需沈 积蚀刻直接接触洞所需的一微影光罩,亦不需与沈 积相关联的制程步骤。 3.一种制造形成一直接接触洞用于电子式存取装 置之方法,该直接接触洞系位于一基础结构,其包 含一层间介电层设置于一石英基底上并覆盖于该 第一金属导体上,其中该第一金属导体系设置于一 第一导体垫区域中至少部分该石英基底上,以及该 第二金属导体系设置于一第二导体垫区域中至少 部分该层间介电层上,该方法系包括下列步骤: 沈积一保护层于一基础结构上; 根据一图案以图案化该保护层; 蚀刻该保护层;以及 蚀刻该层间介电层。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该方法系 用于一具有该基础结构之平面显示装置一阴极阵 列中,该第二导体上覆盖一铬层,且该方法不需沈 积蚀刻直接接触洞所需的一微影光罩,亦不需与沈 积相关联的制程步骤。 5.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之方法,其中 该保护层包含氮化矽。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中蚀刻该保 护层之步骤包括对氮化矽施以乾式蚀刻。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该乾式蚀 刻氮化矽之步骤包含施以一混合气体。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该混合气 体包括SF6、CF4、CHF3以及O2。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该混合气 体包括c-C4F8、CO、Ar。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该混合 气体包括N2。 11.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之方法,其 中该基础结构还包括一电阻,该电阻介于该石英基 底与该层间介电层之间,以及介于该第一金属导体 与该层间介电层之间。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中还包括 一执行蚀刻双电阻步骤。 13.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之方法,其 中该蚀刻该层间介电层步骤还包括一执行一层间 介电层之湿式蚀刻步骤。 图式简单说明: 第1图系显示习知技术中平面CRT内部之剖面图,描 述阴极朝萤光幕发射与加速之状态; 第2图系显示习知技术中平面CRT内部之揭示图,描 述陶瓷结构与其抵抗周围大气压之状态; 第3图系显示习知技术中平面CRT之结构图,两圆形 细部图系描述阴极于两放大级间之状态; 第4图系显示习知技术中薄型CRT阴极表面上列与行 之可寻址功能; 第5A图系显示习知技术中平面CRT之阴极表面上主 动区域与M1及M2连接垫区域相对位置之俯视图; 第5B图系显示习知技术中M1垫区域组成结构之剖面 图; 第5C图系显示习知技术中M2垫区域组成结构之剖面 图; 第6图系显示习知技术中制造平面CRT之流程图; 第7A图系显示本发明一实施例中沈积于石英基底 之第一金属主动层之纵向剖面图; 第7B图系显示本发明一实施例中在涂布光阻后沈 积于石英基底之第一M1金属垫之剖面图; 第7C图系显示本发明一实施例中沈积层间介电层 与阻抗层于石英基底之第一M2金属垫之剖面图; 第7D图系显示本发明一实施例中制造阴极第一基 本组成结构之流程图; 第8A图系显示本发明一实施例中金属闸极与第二 金属导体之纵向剖面图,其覆盖于主动区域与M2垫 区域之第一金属层之层间介电层上; 第8B图系显示本发明一实施例中M2垫区域中Cr沈积 之剖面图; 第8C图系显示本发明一实施例中主动区域内沈积 于层间介电层上以覆盖第一金属层之金属闸极之 纵向剖面图; 第8D图系显示本发明一实施例中M2垫区域中Cr沈积 之剖面图; 第8E图系显示本发明一实施例中制造阴极第二组 成结构之流程图; 第9A图系显示本发明一实施例中于蚀刻后沈积于 主动区域内保护层纵向剖面图,其位于金属闸极( 第8A图)上并有闸极铬(Cr)层; 第9B图系显示本发明一实施例中于蚀刻后沈积于M1 垫区域内保护层剖面图,其位于第一金属闸极(第7B 图)上; 第9C图系显示本发明一实施例中于蚀刻后沈积于M2 垫区域内保护层剖面图,其位于金属闸极(第8B图) 与第二金属闸极上; 第9D图系显示本发明一实施例中制造阴极第三组 成结构之流程图; 第10A图系显示本发明一实施例中条状(stick)Cr层沈 积于主动区域内纵向剖面图,其位于金属闸极(第8A 图)上; 第10B图系显示本发明一实施例中条状(stick)Cr层沈 积于M1垫区域内剖面图,其位于第一金属闸极(第9B 图)上; 第10C图系显示本发明一实施例中沈积于M2垫区域 内剖面图,其位于金属闸极(第9C图)上; 第10D图系显示本发明一实施例中制造阴极第四组 成结构之流程图; 第11A图系显示本发明一实施例中阴极锥体金属与 闸极结构沈积于主动区域内纵向剖面图; 第11B图系显示本发明一实施例中于蚀刻条状(stick) Cr层后第一金属层沈积于M1垫区域内剖面图,其覆 盖于保护材质(第9B图)上; 第11C图系显示本发明一实施例中阴极锥体金属于M 2垫区域内金属闸极(第9C图)上剖面图; 第11D图系显示本发明一实施例中制造阴极第五组 成结构之流程图; 第12A图系显示本发明一实施例中阴极主动区域之 纵向剖面图,其具有聚合物侧壁以形成对焦夹层金 属沈积; 第12B图系显示本发明一实施例中M2垫区域内金属 闸极(第11C图)上阴极锥体之剖面图;以及 第12C图系显示本发明一实施例中制造阴极第六组 成结构之流程图。 |
