发明名称 封装结构
摘要 一种封装结构,其包括一承载器、一晶片以及一主动散热元件。其中,晶片系配置于承载器上,且与承载器电性连接。而主动散热元件系与晶片连接,且与承载器电性连接。由于主动散热元件通电时,其第一表面的温度系低于第二表面的温度,且主动散热元件之第一表面系与晶片接触。因此,主动散热元件可以迅速吸收晶片所产生的热能,进而提高封装结构的散热效率。
申请公布号 TWI270964 申请公布日期 2007.01.11
申请号 TW093138692 申请日期 2004.12.14
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 李长祺;黄东鸿
分类号 H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L23/34(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种封装结构,包括: 一承载器; 一晶片,配置于该承载器上,且与该承载器电性连 接,其中该晶片具有一主动表面; 一主动散热元件,与该承载器电性连接,其中该主 动散热元件为一热电致冷元件,该热电致冷元件具 有一第一表面与一第二表面,而该主动散热元件通 电时,该第一表面之温度系低于该第二表面之温度 ,且该晶片之该主动表面系与该热电致冷元件之该 第一表面相接;以及 一封装胶体,系将该晶片、该主动散热元件固着于 该承载器上。 2.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该承 载器包括印刷电路板。 3.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该热 电致冷元件之材质包括N型半导体或P型半导体。 4.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该热 电致冷元件之材质包括Bi2Te3、PbTe、SiGe、Fe2Si或 CoAs3之化合物。 5.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该承 载器具有一承载面以及一相对之背面,该晶片系配 置于该承载器之该承载表面上,且该主动散热元件 系配置于该晶片上。 6.如申请专利范围第5项所述之封装结构,更包括多 数个第一焊球,配置于该承载器的该背面上。 7.如申请专利范围第5项所述之封装结构,更包括一 第一散热器,与该主动散热元件接触。 8.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该承 载器具有一承载面以及一相对之背面,该主动散热 元件系配置于该承载器之该承载面与该晶片之间 。 9.如申请专利范围第8项所述之封装结构,更包括多 数个第二焊球,配置于该承载器的该背面上。 10.如申请专利范围第8项所述之封装结构,更包括 一第二散热器,与该晶片接触。 11.如申请专利范围第1项所述之封装结构,更包括 多数个第一焊线,连接于该晶片与该承载器之间。 12.如申请专利范围第11项所述之封装结构,更包括 多数个第二焊线,连接于该晶片与该主动散热元件 之间,其中该主动散热元件系透过该晶片以及该些 第二焊线与该承载器电性连接。 13.如申请专利范围第1项所述之封装结构,更包括 多数个第三焊线,连接于该主动散热元件与该承载 器之间。 14.如申请专利范围第1项所述之封装结构,更包括 多数个第一凸块,连接于该晶片与该承载器之间。 15.如申请专利范围第14项所述之封装结构,更包括 多数个第二凸块,连接于该晶片与该主动散热元件 之间,其中该主动散热元件系透过该晶片以及该些 第二凸块与该承载器电性连接。 16.如申请专利范围第1项所述之封装结构,更包括 多数个第三凸块,连接于该主动散热元件与该承载 器之间。 17.如申请专利范围第1项所述之封装结构,其中该 封装胶体系暴露出部分该主动散热元件的该第二 表面。 图式简单说明: 图1系绘示依照本发明一较佳实施例所述之一种封 装结构的剖面图。 图2A与图2B绘示为热电致冷元件的散热原理示意图 。 图3系绘是依照本发明一较佳实施例所述之另一种 封装结构之剖面图。 图4系绘示依照本发明一较佳实施例所述之再一种 封装结构的剖面图。 图5A与图5B系绘示依照本发明一较佳实施例所述之 又二种封装结构的剖面图。
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