| 主权项 |
1.一种有机电激发光面板,包括: 一第一基板; 一第一导电层,设置于该第一基板上; 一画素阵列,位于该第一基板上,并包括复数个有 机发光二极体与该第一导电层电性连接; 一第二基板,设置于该画素阵列之上; 一第二导电层,设置于该第二基板之下表面,并与 该第一导电层电性连接;以及 一电压源,电性连接于该第一导电层。 2.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该画素阵列包含复数个薄膜电晶体电性连接 于该等有机发光二极体。 3.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 更包括一接触垫位于该第一基板与该第二基板之 间以电性连接该第一导电层与该第二导电层。 4.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光面板, 其中该接触垫系设置于该第一基板上。 5.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光面板, 其中该接触垫系设置于该第二基板之下表面。 6.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光面板, 其中该接触垫包括一第三导电层包覆一绝缘凸块 。 7.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光面板, 其中该接触垫系包括二岛状结构,该二岛状结构的 根部分别设置于该第二基板下表面及该第一基板 上表面,且该二岛状结构的顶部相对并接触。 8.如申请专利范围第6项所述之有机电激发光面板, 其中该第三导电层材料系选自氧化铟锡、铝、铬 、钛、钼、银、铜、钯及其合金所成的群组。 9.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该第二基板系为一封装盖。 10.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板 ,其中该第二导电层厚度范围系为2000以上。 11.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板 ,其中该第一导电层厚度范围系为大于100,且小 于6000。 12.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板 ,更包括一软性电路板电性连接于该电压源与该第 一导电层之间。 13.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板 ,其中该第二导电层材料之电阻小于该第一导电层 材料之电阻。 14.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板 ,其中该第二导电层材料系选自氧化铟锡、铝、铬 、钛、钼、银、铜及其合金所成的群组。 15.申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该第一导电层与第二导电层之间系以一异方 性导电膜电性连结。 16.申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该第一导电层与第二导电层之间系以焊锡电 性连结。 17.申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该第一导电层系直接接触于第二导电层。 18.申请专利范围第1项所述之有机电激发光面板, 其中该第一导电层与第二导电层之间系以含有金 属球之黏胶黏合。 19.一种有机电激发光面板,包括: 一基板; 一第一导电层,设置于该基板上; 一画素阵列,位于该基板上,并包括复数个有机发 光二极体与该第一导电层电性连接; 一封装盖,设置于该画素阵列之上; 一第二导电层,设置于该封装盖之表面,并且电性 连接于复数个接触垫,其中该等接触垫电性连接于 该第一导电层。 20.如申请专利范围第19项所述之有机电激发光面 板,其中该画素阵列包含复数个薄膜电晶体电性连 接于该等有机发光二极体。 21.如申请专利范围第19项所述之有机电激发光面 板,其中该接触垫系设置于该基板上。 22.如申请专利范围第19项所述之有机电激发光面 板,其中该接触垫系设置于该封装盖下表面。 23.如申请专利范围第19项所述之有机电激发光面 板,其中每个上述的接触垫系包括二岛状结构,该 二岛状结构的根部分别设置于该封装盖下表面及 该基板上,且该二岛状结构的顶部相对并接触。 24.如申请专利范围第19项所述之有机电激发光面 板,其中该接触垫系包括一第三导电层包覆一绝缘 凸块。 图式简单说明: 图1A系为习知主动式有机电激发光面板之画素阵 列的电路图; 图1B系为图1A中任一画素的平面图; 图1C系为图1B中的A-A剖面图; 图1D系为面板之显示电位均匀度与金属层厚度的 关系图; 图2系为本发明之有机电激发光面板之外观上视图 ; 图3系为本发明之有机电激发光面板之B-B剖面图; 图4系为本发明之第二较佳实施例; 图5系为本发明之第三较佳实施例; 图6系根据本发明之有机电激发光面板之画素单元 平面图; 图7A-7C系为各种具有岛状结构之接触垫; 图8A-8B系为接触垫分布区域之平面图; 图9A-9B系为第二导电层分布区域之平面图;以及 图10系依据本发明之有机电激显示面板,其显示电 位均匀度改善状况。 |
