| 主权项 |
1.一种构成混合积体电路装置,系具备:电路基板; 设在前述电路基板之表面的导电图案,以及对前述 导电图案为电气连接之电路元件,而 前述电路基板侧面系由从前述电路基板之表面周 边部向斜下方延伸之第1倾斜部,及从前述电路基 板之背面向斜上方延伸之较前述第1倾斜部为大之 第2倾斜部所构成, 前述第1倾斜部之宽度系比前述第2倾斜部之宽度 更狭窄。 2.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述第1倾斜部之外侧与前述电路基板之面方向 所构成之角度系比前述第2倾斜部之外侧与前述电 路基板之面方向所构成的角度为小者。 3.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述第2倾斜部之对前述电路基板的厚度系较前 述第1倾斜部之形成较大者。 4.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述第1倾斜部之宽度形成系较前述第2倾斜部狭 小者。 5.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述电路基板之表面及侧面系由封装用树脂予以 密封者。 6.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述导电图案系形成为多层者。 7.如申请专利范围第1项之混合积体电路装置,其中 ,前述电路基板系由金属形成之基板,而且, 于前述电路基板表面形成有绝缘层者。 8.一种混合积体电路装置之制造方法,系具备: 准备表面经过绝缘处理之基板的步骤; 于前述基板表面形成导电图案的步骤; 于前述基板之表面以格子状形成第1沟,且于前述 基板背面以格子状形成比前述第1沟为大之第2沟 的步骤; 对于前述导电图案形成电气连接电路元件的步骤; 以及 对形成于前述第1沟及前述第2沟之位置进行将前 述基板予以分割,且在各个前述电路基板之侧面, 形成从前述电路基板之表面周边部向斜下方延伸 之第1倾斜部,及从前述电路基板之背面向斜上方 延伸之较前述第1倾斜部为大之第2倾斜部的步骤; 并且使前述第1倾斜部之宽度比前述第2倾斜部之 宽度更狭窄。 9.如申请专利范围第8项之混合积体电路装置的制 造方法,其中,对前述第1沟按压不具驱动力之圆切 割刀并使之转动,而进行前述电路基板之分割。 10.如申请专利范围第8项之混合积体电路装置的制 造方法,其中,藉由对前述第1沟照射雷射光线以实 行前述电路基板之分割。 11.如申请专利范围第8项之混合积体电路装置的制 造方法,其中,藉由使具有对应于前述第1沟或前述 第2沟断面之形状之刀刃的切割锯高速旋转,以形 成前述第1沟或前述第2沟。 图式简单说明: 第1图为本发明之混合积体电路装置之斜视图(A)、 剖视图(B)、斜视图(C)。 第2图为本发明之混合积体电路装置之剖视图(A)、 剖视图(B)。 第3图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用俯视图(A)、斜视图(B)、扩大图(C)。 第4图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用俯视图(A)、斜视图(B)、扩大图(C)。 第5图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用斜视图(A)、剖视图(B)。 第6图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用剖视图。 第7图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用俯视图。 第8图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用剖视图。 第9图为本发明之混合积体电路装置制造方法之说 明用斜视图(A)、剖视图(B)、剖视图(C)。 第10图为本发明之混合积体电路装置制造方法之 说明用剖视图。 第11图为习用之混合积体电路装置之斜视图(A)、 剖视图(B)。 第12图为习用之混合积体电路装置之俯视图(A)、 剖视图(B)。 第13图系习用之混合积体电路装置之俯视图(A)、 剖视图(B)。 第14图系习用之混合积体电路装置之俯视图。 |
