可动电路用导电体及振动式旋转仪

摘要

一种以结晶粒的平均剖面积在1μm2以下为其特征，以Al为主体之可动电路用导电体(最适合于配设在以电路动作中，电路本身的形状会变化为前提之可动体的电路之导电体)。此导电体较好是含有原子浓度N+O：550～20000ppm，进而含有原子浓度Si：0.5～5.0%、Ta：0.5～5.0%及Cu：0.5～5.0%之一种以上的元素。特别较好是为含有Nd：0.5～5.0%。此可动电路用导电体最适合于振动式旋转仪的配线图案。

主权项

1.一种可动电路用导电体,是针对以Al为主体的可 动电路用导电体,其特征为: 结晶粒的平均剖面积在1m2以下。 2.如申请专利范围第1项记载的可动电路用导电体, 其中,N及O(氧)的合计含有量为原子浓度550-20000 ppm 。 3.如申请专利范围第1或者第2项中任一项所记载的 可动电路用导电体,其中,含有原子浓度为Si:5.0%以 下、Ta:5.0%以下及Cu:5.0%以下之一种以上。 4.如申请专利范围第1或第2项所记载的可动电路用 导电体,其中,含有Nd,其原子浓度为0.5-5.0%。 5.如申请专利范围第3项所记载的可动电路用导电 体,其中,含有Nd,其原子浓度为0.5-5.0%。 6.一种振动式旋转仪,其特征为: 将申请专利范围第1项至第5项中任一项所记载的 可动电路用导电体用于配线图案。 图式简单说明: 第1图系显示环型振动式旋转仪的矽基板图。 第2图系显示设计在环上的配线图案。 第3图系显示振动式旋转仪的配线用导电膜的金属 组织图,(a)系显示漂移小的样本的配线用导电膜的 组织图,(b)显示漂移大的样本的配线用导电膜的组 织图。 第4图系显示结晶粒的平均剖面积和漂移的关系图 。 第5图系摄影以Al为主体的导电体之上面的后方散 射电子绕射影像(EBSP),(a)系显示含Si:1.0%及N+O:499ppm 的导电体,(b)系显示含Si:1.0%及N+O:4817ppm的导电体,(c )系显示含Nd:2.0%的导电体。 第6图系利用透过型电子显微镜(TEM)以摄影以A1为 主体的导电体之厚度方向的剖面的组织照片,(a)系 显示含Si:1.0%及N+O:499ppm的导电体,(b)系显示含Si:1.0% 及N+O:4817ppm的导电体,(c)系显示含Nd:2.0%的导电体。