| 主权项 |
1.一种具有滤片之光接收器,适用于一光收发模组, 包括: 一滤片,用以使一既定波长光通过;以及 一受光元件,用以接收上述既定波长光,将上述既 定波长光转换成一电讯号; 其中上述滤片设置于上述受光元件表面。 2.如申请专利范围第1项所述之具有滤片之光接收 器,其中上述受光元件包括一PIN二极体(Positive- Intrinsic-Negative Diode)、累崩型光接收器(APD)或金属- 半导体-金属光接收器(MSM)。 3.如申请专利范围第1项所述之具有滤片之光接收 器,其中上述滤片系由二氧化矽(SiO2)/氮化矽(Si3N4) 之多层堆叠层所构成。 4.如申请专利范围第3项所述之具有滤片之光接收 器,其中上述滤片之二氧化矽(SiO2)/氮化矽(Si3N4)间 隔重复堆叠大体10~50对(pair)。 5.一种光收发模组,包括: 一光发射器,用以发射一光讯号; 一分光器,用以使上述光讯号区分成一反射光讯号 与一穿透光讯号; 一光传输元件,用以接收且传输上述穿透光讯号; 以及 一光接收器,包括: 一滤片,用以使上述反射光讯号之既定波长光通过 ;以及 一受光元件,用以接收上述反射光讯号之既定波长 光,将上述既定波长光转换成一电讯号; 其中上述滤片设置于上述受光元件表面。 6.如申请专利范围第5项所述之光收发模组,其中上 述光发射器系由一发光元件所构成,包括一雷射元 件(laser device;LD)或一光发射元件(light-emitting device; LED)。 7.如申请专利范围第5项所述之光收发模组,其中上 述受光元件包括一PIN二极体(Positive-Intrinsic-Negative Diode)、累崩型光接收器(APD)或金属-半导体-金属 光接收器(MSM)。 8.如申请专利范围第5项所述之光收发模组,其中上 述分光器包括一分光镜。 9.如申请专利范围第5项所述之光收发模组,其中上 述光传输元件包括一光纤(optical fiber)或光波导( wave guide)。 10.如申请专利范围第5项所述之光收发模组,其中 上述滤片系由二氧化矽(SiO2)/氮化矽(Si3N4)之多层 堆叠层所构成。 11.如申请专利范围第10项所述之光收发模组,其中 上述滤片之二氧化矽(SiO2)/氮化矽(Si3N4)间隔重复 堆叠大体10~50对(pair)。 12.一种具有滤片之光接收器的制作方法,包括: 提供一受光元件,其中上述受光元件表面设置有一 图案化导电层; 以物理气或化学沉积法形成一滤片,以使上述图案 化导电层完全上述滤片被覆盖;以及 以物理气或化学蚀刻,使上述图案化导电层上方之 上述滤片去除。 13.如申请专利范围第12项所述之具有滤片之光接 收器的制作方法,其中上述发光元件系一光发射元 件(light-emitting device;LED)。 14.如申请专利范围第12项所述之具有滤片之光接 收器的制作方法,其中上述图案化导电层系P型或N 型电极。 15.如申请专利范围第12项所述之具有滤片之光接 收器的制作方法,其中上述滤片系由二氧化矽(SiO2) /氮化矽(Si3N4)之多层堆叠层所构成。 16.如申请专利范围第12项所述之具有滤片之光接 收器的制作方法,其中上述滤片之二氧化矽(SiO2)/ 氮化矽(Si3N4)间隔重复堆叠大体10~50对(pair)。 图式简单说明: 第1图系显示根据本发明之光收发模组之一较佳实 施例之示意图。 第2A图至第2C图系显示根据本发明之具有滤片之光 接收器之一较佳实施例之结构剖面图。 |
