| 主权项 |
1.一种制备质量中间粒径d50介于0.2m至2.0m间氢 氧化铝粉末之方法,包含: (a)提供一种铝酸钠溶液,含有50-150g/L之氧化钠及50- 150g/L之氧化铝; (b)加入一种经研磨过之奈米或次微米级氢氧化铝 晶体于该铝酸钠溶液中,该经研磨过之奈米或次微 米级氢氧化铝晶体具有10nm至1.0m质量中间粒径d 50,其加入量为制得该氢氧化铝粉末产量之0.5-10.0%; (c)在40-100℃之温度间搅拌该铝酸钠溶液; (d)冷却该铝酸钠溶液至温度小于45℃,以成长氢氧 化铝晶体,冷却该铝酸钠溶液之初期2小时内,降温 速率小于10℃/小时; (e)以压滤、真空抽滤、离心过滤或其组合过滤该 铝酸钠溶液以使该氢氧化铝晶体自该铝酸钠溶液 中分离; (f)水洗该经过滤之氢氧化铝晶体; (g)在100-200℃间的温度乾燥该经水洗之氢氧化铝晶 体以制得该氢氧化铝粉末。 2.如申请专利范围第1项中之方法,其中该氢氧化铝 粉末之纯度在98.0%以上。 3.如申请专利范围第1项中之方法,其中该氢氧化铝 粉末之硷含量(以氧化钠计)在0.3%以下。 4.如申请专利范围第1项中之方法,其中该质量中间 粒径d50为1.0m。 5.如申请专利范围第1项中之方法,其中该氢氧化铝 粉末系用于塑橡胶的防火填充剂。 6.如申请专利范围第5项中之方法,其中该氢氧化铝 粉末系用于印刷电路板塑胶基材的防火填充剂。 7.如申请专利范围第1项中之方法,其中该经研磨过 之奈米或次微米级氢氧化铝晶体为质量中间粒径d 50介于50nm至0.5m间之氢氧化铝晶体。 8.如申请专利范围第1项中之方法,其中该铝酸钠溶 液含有80-120g/L之氧化钠及90-130g/L之氧化铝。 9.如申请专利范围第1项中之方法,其中该铝酸钠溶 液具有介于1.2-2.5间之氧化钠/氧化铝之莫耳比。 10.如申请专利范围第1项中之方法,其中该铝酸钠 溶液具有介于1.5-2.0间之氧化钠/氧化铝莫耳比。 11.如申请专利范围第1项中之方法,其中在60-80℃之 温度间执行该(c)步骤。 12.如申请专利范围第1项中之方法,其中该经研磨 过之奈米或次微米级晶体之加入量为制得该氢氧 化铝粉末产量之1.0-5.0%。 13.如申请专利范围第1项中之方法,其中冷却该铝 酸钠溶液以形成氢氧化铝晶体之初期2小时内,降 温速率小于5℃/小时。 14.如申请专利范围第1项中之方法,其中该(d)步骤 历时少于60小时。 15.如申请专利范围第1项中之方法,其中该(d)步骤 历时少于30小时。 16.如申请专利范围第1项中之方法,其中进一步包 含对该经过滤之氢氧化铝晶体执行水洗及再悬浮 各两次以上。 17.如申请专利范围第1项中之方法,其中在120-150℃ 间执行该(g)步骤。 图式简单说明: 第一图为根据本发明氢氧化铝微粉粒体之制造方 法之流程图。 |
