| 主权项 |
1.一种用于一基材处理室的元件,该元件至少包含: 一结构,具有一表面,其系至少部份曝露于该室中, 该表面具有一雷射钻孔凹陷之图案,该些凹陷系彼 此分隔,每一该些凹陷具有一开口、多个侧壁、及 一底壁。 2.如申请专利范围第1项所述之元件,其中上述之表 面系实质完全地被该些凹陷所覆盖。 3.如申请专利范围第1项所述之元件,其中上述之凹 陷包含侧壁,该些侧壁系相对于该表面而为倾斜的 。 4.如申请专利范围第3项所述之元件,其中上述之侧 壁系相对于该表面而倾斜约60度至约85度之角度。 5.如申请专利范围第1项所述之元件,其中上述之开 口具有一第一尺寸,而该底壁具有一第二尺寸,该 第一尺寸系小于该第二尺寸。 6.如申请专利范围第1项所述之元件,其中上述之结 构为一屏蔽。 7.一种基材处理室,至少包含;如申请专利范围第1 项所述之元件,并更包含: (a)一基板支撑件; (b)一配气器,以提供一气体进入该室; (c)一气体激发器,以激发该气体;及 (d)一排气装置,以将该气体由该室排出。 8.一种用于制造一基材处理室之一元件的方法,该 方法至少包含步骤: (a)形成一结构,该结构具有一至少部份曝露于该室 中之一表面; (b)将一脉冲雷射束指向该结构之该表面的一位置, 以蒸发该结构的一部份,以在该结构中形成一凹陷 ;及 (c)重覆步骤(b)至该结构之该表面上的其他位置,以 形成一凹陷图案,该些凹陷在该结构之该表面上系 彼此分隔。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之步 骤(b)包含将该脉冲雷射束指向该结构的该表面上, 以形成具有一倾斜侧壁之该些凹陷。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 步骤(b)包含将该脉冲雷射束指向该结构的该表面 上,使得该脉冲雷射束相对于该结构的该表面形成 一入射角,且该入射角呈(i)由约60至约85度角,或(ii) 由约95至约120度角。 11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 步骤(b)中,该脉冲雷射系被设定于足够高之一功率 位准,以形成该些凹陷,且该些凹陷之底壁终止于 该结构中。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 步骤(b)系重覆,直到该曝露表面系实质完全地被该 些凹陷所覆盖为止。 13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之 步骤(b)包含将该脉冲雷射束指向该结构之该表面 上,以形成该些凹陷,该些凹陷包含具有一第一尺 寸之一开口,以及具有一第二尺寸之一底壁,且该 第一尺寸系小于该第二尺寸。 14.一种根据申请专利范围第8项所述之方法而制造 之元件,其中上述之元件具有形状而适用为该基材 处理室的一屏蔽。 15.一种处理气体之配气器,用以配送一处理气体进 入一基材处理室,该配气器至少包含: (a)一密封体; (b)一气体导管,用以提供该处理气体至该密封体; 及 (c)多个雷射钻孔之气体出口,该些气体出口位于该 密封体中,以配送该处理气体进入该基材处理室中 ,至少部份之该些气体出口包含一第一开口,系在 该密封体内而具有一第一直径,及一第二开口,系 在该基材处理室外而具有一第二直径,该第二直径 系小于该第一直径。 16.如申请专利范围第15项所述之配气器,其中上述 之气体出口包含一实质连续变窄之剖面。 17.如申请专利范围第15项所述之配气器,其中上述 之第一或第二开口具有圆化边缘。 18如申请专利范围第15项所述之配气器,其中上述 之第二直径系足够小于第一直径,而可以限制形成 于该室中之一电浆进入该密封体。 19.如申请专利范围第18项所述之配气器,其中上述 之第二直径系低于约0.3mm及该第一直径系至少约1. 3 mm。 20.如申请专利范围第15项所述之配气器,其中上述 之密封体包含铝、氮化铝、氧化铝、碳化矽或石 英。 21.一种基材处理室,包含如申请专利范围第15项所 述之配气器,且该室更包含: (1)一基材支撑件,面向该配气器; (2)一气体激发器,以激发由该配气器而引入该室中 之该气体;及 (3)一排气装置,以由该室中而排出该气体。 22.一种形成如申请专利范围第15项所述之配气器 的方法,该方法至少包含步骤: (a)形成一结构,其形成该密封体的至少一部份;及 (b)将一脉冲雷射束指向该结构的一表面,以雷射钻 孔该些气体出口而穿过该表面。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 步骤(b)包含将该脉冲雷射束的束尺寸由该第一直 径调整至该第二直径,或以相反方式调整。 24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 步骤(b)包含连续调整该脉冲雷射束的束尺寸,以形 成具有实质连续变窄之一剖面的一气体出口。 25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 步骤(b)包含调整该脉冲雷射束的束尺寸以圆化该 气体出口的边缘。 26.一种用以配送一处理气体进入一基材处理室的 处理气体配气器,该配气器至少包含: (a)一密封体; (b)一气体导管,以提供该处理气体至该密封体;及 (c)多个雷射钻孔之气体出口,该些气体出口位于该 密封体中,以配送该处理气体进入该基材处理室, 至少部份之该些气体出口具有圆化边缘。 27.如申请专利范围第26项所述之配气器,其中上述 之气体出口包含一第一开口,系在该密封体内而具 有一第一直径,及一第二开口,系在该基材处理室 内而具有一第二直径,该第二直径系小于该第一直 径。 28.如申请专利范围第26项所述之配气器,其中上述 之气体出口包含一剖面,其系实质连续变窄。 29.一种基材处理室,包含如申请专利范围第26项所 述之配气器,该室更包含: (1)一基材支撑件,面向该配气器; (2)一气体激发器,以激发由该配气器而引入该室中 之该气体;及 (3)一排气装置,由该室中而排出该气体。 30.一种用于一基材处理室的组件,该组件至少包含 多个元件,每一该些元件包含一结构,该结构具有 一表面,且该表面系至少部份曝露于该室中,该表 面具有一雷射钻孔之凹陷的图案,该些凹陷系彼此 分隔,每一该些凹陷具有一开口、多个侧壁及一底 壁。 31.如申请专利范围第30项所述之组件,其中上述之 表面系实质完全地被该些凹陷所覆盖。 32.如申请专利范围第30项所述之组件,其中上述之 元件为屏蔽。 33.如申请专利范围第30项所述之组件,其中上述之 元件包含一沉积环、一盖环、一上气体屏蔽、及 一下气体屏蔽。 34.一种用于一基材处理室的组件,该组件至少包含 多个元件,该些元件包含一沉积环、一盖环、一上 气体屏蔽及一下气体屏蔽,每一该些元件包含一结 构,该结构具有一表面,且该表面系至少部份曝露 于该室中,该表面系实质完全地被雷射钻孔之凹陷 的一图案所覆盖,该些凹陷系彼此分隔,及每一该 些凹陷具有一开口、多个侧壁及一底壁。 图式简单说明: 第1A图为依据本发明之一实施例之处理室的示意 图; 第1B图为依据本发明之另一处理室的各种屏蔽的 侧视图,显示一沉积环、盖环及上及下屏蔽,这些 元件均包围置放在室中之基材支撑件上之基板; 第2图为于一处理室之元件中之雷射束钻孔凹陷的 剖面侧视图; 第3A图为形成于一处理室中之元件之矩形凹陷的 剖面侧视图; 第3B图为第3A图之收集沉积材料的凹陷的剖面侧视 图; 第4A图为形成于一处理室之元件中之有角度凹陷 的剖面侧视图; 第4B图为第4A图之收集沉积材料的凹陷之剖面侧视 图; 第4C图为第4A图的凹陷的俯视图; 第5图为于配气器中之步阶气体出口之剖面侧视图 ; 第6图为在配气器中具有梯形剖面之气体出口的剖 面侧视图; 第7图为适用以操作如第1A图所示之室的控制器的 实施例示意图。 |
