| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括下列步骤: 在基材(20)上表面上形成具有侧表面之闸极电极(21 ),在该基材(20)与该闸极电极(21)之间覆盖有闸极介 电层(22); 使用闸极电极(21)作为罩幕,藉由离子植入将掺杂 质导入基材,形成源极/汲极之浅层延伸部(23); 在该闸极电极(21)之侧表面与该基材(20)之上表面 上形成氧化物衬层(30);以及 藉由离子植入(31)将掺杂质导入该氧化物衬层(30) 。 2.如申请专利范围第1项之方法,复包括: 于该氧化物衬层(30)上沈积间隔材料层; 进行蚀刻,在该氧化物衬层(30)上形成侧壁间隔(40); 藉由离子植入将掺杂质导入该基材,形成深层中等 或高浓度之掺杂植入物(41);以及活化退火。 3.如申请专利范围第2项之方法,包括: 形成包括氧化矽之氧化物衬层(30);以及 形成包括氮化矽或氮氧化矽之间隔层(40)。 4.如申请专利范围第3项之方法,包括离子植入(31)P- 型杂质作为掺杂质。 5.如申请专利范围第4项之方法,包括离子植入(31) 硼(B)或二氟化硼(BF2)作为掺杂质。 6.如申请专利范围第2项之方法,包括: 藉由离子植入将掺杂质导入该基材,形成第一杂质 浓度的源极/汲极之浅层延伸部(23);以及 藉由离子植入将掺杂质导入该氧化物衬层(30),该 氧化物衬层(30)中之杂质浓度系资质上与第一杂质 浓度相同。 7.如申请专利范围第6项之方法,包括藉由离子植入 将掺杂质导入基材形成源极/汲极之浅层延伸部(23 ),以及将掺杂质导入氧化物衬层(30),该导入之掺杂 质浓度约为11020至约21020个原子/立方公分。 8.如申请专利范围第2项之方法,包括藉由离子植入 (31)将掺杂杂质导入氧化物衬层(30),使该氧化物衬 层(30)之掺杂质浓度为约1原子%。 9.如申请专利范围第5项之方法,包括藉由离子植入 (31)将BF2得入氧化物衬层(30),植入剂量系约51014至 约21015个离子/平方公分以及植入能量系约1至约3 KeV。 10.如申请专利范围第1项之方法,包括形成厚度约50 至约200之氧化物衬层(30)。 图式简单说明: 第1图系说明由习知电晶体制造技术所造成掺杂质 扩散出来的概要图式; 第2至4图系说明根据本发明具体实例之方法的各 个步骤的概要图式; 第5至8图系说明本发明另一观点之各个阶段的概 要图式; 在第2至4图以及第5至8图中,类似的特征或元件系 以类似的参考符号表示。 |
