| 主权项 |
1.一种发光二极体(Light Emitting Diode;LED)之结构,至 少包括: 一基板; 一半导体磊晶结构,至少包括一N型半导体层、一 主动层、以及一P型半导体层,其中该N型半导体层 覆盖该基板,该N型半导体层之部分表面上形成有 复数个突起物,且每两个相邻之该些突起物之间具 有一通道,而该主动层以及该P型半导体层系依序 堆叠于该些突起物上; 一N型电极层,附着于该N型半导体层上且位于该通 道中;以及 复数个P型电极,位于该P型半导体层上。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之结构, 其中更包括一透明接触层,位于该P型半导体层与 该些P型电极之间。 3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体之结构, 其中更包括: 一绝缘层,覆盖该透明接触层与该N型电极层,且暴 露出部分之该N型电极层,以做为一N型焊垫;以及 一导电层,覆盖该绝缘层并连接该些P型电极,其中 该些P型电极中之至少一P型电极系做为一P型焊垫 。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之结构, 其中该基板之材质系选自于由蓝宝石(Sapphire)以及 玻璃所组成之一族群。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之结构, 其中该些突起物为长方体。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体之结构, 其中该N型半导体层、该P型半导体层、与该主动 层之材质系选自于由氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN) 、氮化铟镓(InGaN)、以及氮化铝铟镓(AlInGaN)所组成 之一族群。 7.如申请专利范围第6项所述之发光二极体之结构, 其中该主动层具有双异质接面结构。 8.如申请专利范围第6项所述之发光二极体之结构, 其中该主动层具有位能井结构。 9.一种发光二极体之结构,至少包括: 一基板; 一N型半导体层,覆盖该基板,其中该N型半导体层之 部分表面上形成有复数个突起物,且每两个相邻之 该些突起物之间具有一通道; 一主动层,覆盖该些突起物; 一P型半导体层,覆盖该主动层; 一透明接触层,覆盖该P型半导体层; 一N型电极层,附着于该N型半导体层上且位于该通 道中; 复数个P型电极,附着于该透明接触层之一表面之 一部分; 一绝缘层,覆盖该透明接触层与该N型电极层,且暴 露出部分之该N型电极层,以做为一N型焊垫;以及 一导电层,覆盖该绝缘层并连接该些P型电极,其中 该些P型电极中之至少一P型电极系做为一P型焊垫 。 10.如申请专利范围第9项所述之发光二极体之结构 ,其中该基板之材质为蓝宝石。 11.如申请专利范围第9项所述之发光二极体之结构 ,其中该基板之材质为玻璃。 12.如申请专利范围第9项所述之发光二极体之结构 ,其中该些突起物为长方体。 13.如申请专利范围第9项所述之发光二极体之结构 ,其中该N型半导体层、该P型半导体层、与该主动 层之材质系选自于由氮化镓、氮化铝镓、氮化铟 镓、以及氮化铝铟镓所组成之一族群。 14.如申请专利范围第13项所述之发光二极体之结 构,其中该主动层具有双异质接面结构。 15.如申请专利范围第13项所述之发光二极体之结 构,其中该主动层具有位能井结构。 16.一种发光二极体之制造方法,至少包括: 提供一基板; 形成一N型半导体层覆盖该基板,其中该N型半导体 层之部分表面上形成有复数个突起物,而每两个相 邻之该些突起物之间具有一通道; 形成一主动层覆盖该些突起物; 形成一P型半导体层覆盖该主动层; 形成一透明接触层覆盖该P型半导体层; 形成一N型电极层附着于该N型半导体上且位于该 荡道中; 形成复数个P型电极附着于该透明接触层之一表面 之一部分; 形成一绝缘层覆盖该透明接触层与该N型电极层, 且暴露出部分之该N型电极层,以做为一N型焊垫;以 及 形成一导电层覆盖该绝缘层并连接该些P型电极, 其中该些P型电极中之至少一P型电极系做为一P型 焊垫。 17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体之制 造方法,其中该基板之材质系选自于由蓝宝石以及 玻璃所组成之一族群。 18.如申请专利范围第16项所述之发光二极体之制 造方法,其中该些突起物为长方体。 19.如申请专利范围第16项所述之发光二极体之制 造方法,其中该N型半导体层、该P型半导体层、与 该主动层之材质系选自于由氮化镓、氮化铝镓、 氮化铟镓、以及氮化铝铟镓所组成之一族群。 20.如申请专利范围第19项所述之发光二极体之制 造方法,其中该主动层之结构系选自于由双异质接 面结构以及位能井结构所组成之一族群。 图式简单说明: 第1图系绘示习知以氮化镓为主的半导体所形成的 发光二极体之上视图; 第2图系绘示第1图中沿着a-a'剖面所形成的剖面图; 第3图系绘示习知大晶片尺寸之发光二极体的上视 图; 第4图系绘示本发明之一较佳实施例之大晶片尺寸 之发光二极体的上视图;以及 第5图系绘示第4图中沿着b-b'剖面所形成的剖面图 。 |
