| 主权项 |
1.一种供制造半导体结构之方法,该方法包括: 提供一半导体基材或基材组件; 提供至少一个化学式为M1q(O)x(OR1)y(化学式I)之前驱 化合物及至少一个化学式为M2(NR2)w(NR3R4)z(化学式II )之前驱化合物,其中: M1及M2表示相同金属; R1、R2、R3及R4各别独立地表示氢或有机基; x表示0至4; y表示1至8; w表示0至4; z表示1至8; q为1或2;而 x、y、z及w都是视M1及M2的氧化态而定;以及 藉使用蒸气沉积法使该等前驱化合物接触以便在 该半导体基材或基材组件的一或多个表面上形成 金属氧化物层,其中该蒸气沉积法为包括多个沉积 循环的原子层沉积法。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基材 或基材组件系矽晶片。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属氧化物 层系一介电层。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中M1及M2系选自3 、4、5、6、7、13、14族,以及镧系元素之金属。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中M1及M2系选自Y 、La、Pr、Nd、Gd、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Si、及Al之金 属。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属氧化物 层具有约30至约80之厚度。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中R1、R2、R3及R4 系各别独立地表示氢或(C1-C6)有机基。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中x表示0至2,而y 表示2至6。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中w表示0至2,而z 表示2至6。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中在原子层沉 积法期间,该含金属之膜层系藉由在每一沉积循环 期间交替地导入前驱化合物而形成。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基 材或基材组件之温度系约25℃至约400℃。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基 材或基材组件系放于一具有压力约10-4托至约1托 之沉积室内。 13.一种供制造半导体结构之方法,该方法包括: 提供一在沉积室内之半导体基材或基材组件; 提供至少一个化学式为M1q(O)x(OR1)y(化学式I)之前驱 化合物及至少一个化学式为M2(NR2)w(NR3R4)z(化学式II )之前驱化合物,其中: M1及M2表示相同金属; R1、R2、R3及R4各别独立地表示氢或有机基; x表示0至4; y表示1至8; w表示0至4; z表示1至8; q为1或2;而 x、y、z及w都是视M1及M2的氧化态而定;及 使该等前驱化合物汽化以形成汽化之前驱化合物; 以及 将该等汽化之前驱化合物导向该半导体基材或基 材组件,以便在该半导体基材或基材组件之一或多 个表面上形成金属氧化物介电层,其中该前驱化合 物之汽化与导向系利用包括多个沉积循环的原子 层沉积法而达成。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该前驱化合 物系在惰性载剂气体存在下汽化。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中M1及M2系选自 3、4、5、6、7、13、14族,以及镧系元素之金属。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中该半导体基 材或基材组件之温度系约100℃至约600℃。 17.如申请专利范围第13项之方法,其中该半导体基 材或基材组件系放于一具有压力约0.1托至约10托 之沉积室内。 18.如申请专利范围第13项之方法,其中在原子层沉 积法期间,该含金属之膜层系藉由在每一沉积循环 期间交替地导入前驱化合物而形成。 19.如申请专利范围第13项之方法,其中该半导体基 材或基材组件之温度系约25℃至约400℃。 20.如申请专利范围第13项之方法,其中该半导体基 材或基材组件系放于一具有压力约10-4托至约1托 之沉积室内。 21.一种在基材上形成金属氧化物层之方法,该方法 包括: 提供一基材; 提供至少一个化学式为M1q(O)x(OR1)y(化学式I)之前驱 化合物及至少一个化学式为M2(NR2)w(NR3R4)z(化学式II )之前驱化合物,其中: M1及M2表示相同金属; R1、R2、R3及R4各别独立地表示氢或有机基; x表示0至4; y表示1至8; w表示0至4; z表示1至8; q为1或2;而 x、y、z及w都是视M1及M2的氧化态而定;以及 藉使用蒸气沉积法使该等前驱化合物接触以便在 该基材上形成金属氧化物层,其中该蒸气沉积法为 包括多个沉积循环的原子层沉积法。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中该基材系矽 晶片。 23.如申请专利范围第21项之方法,其中该金属氧化 物层系一介电层。 24.如申请专利范围第21项之方法,其中M1及M2系选自 3、4、5、6、7、13、14族,以及镧系元素之金属。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中M1及M2系选自 Y、La、Pr、Nd、Gd、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Si及Al之金 属。 26.如申请专利范围第21项之方法,其中该金属氧化 物层具有约30至约80之厚度。 27.如申请专利范围第21项之方法,其中R1、R2、R3及R 4系各别独立地表示氢或(C1-C6)有机基。 28.一种在基材上形成金属氧化物层之方法,该方法 包括: 提供一基材; 提供至少一个化学式为M1q(O)x(OR1)y(化学式I)之前驱 化合物及至少一个化学式为M2(NR2)w(NR3R4)z(化学式II )之前驱化合物,其中: M1及M2表示相同金属; R1、R2、R3及R4各别独立地表示氢或有机基; x表示0至4; y表示1至8; w表示0至4; z表示1至8; q为1或2;而 x、y、z及w都是视M1及M2的氧化态而定; 使该等前驱化合物汽化以形成汽化之前驱化合物; 以及 将该等汽化之前驱化合物导向该基材以便在该基 材上形成金属氧化物层,其中该前驱化合物之汽化 与导向系利用包括多个沉积循环的原子层沉积法 而达成。 29.一种供制造记忆体装置之结构物的方法,彼包括 : 提供一其上具有第一个电极之基材; 提供至少一个化学式为M1q(O)x(OR1)y(化学式I)之前驱 化合物及至少一个化学式为M2(NR2)w(NR3R4)z(化学式II )之前驱化合物,其中: M1及M2表示相同金属; R1、R2、R3及R4各别独立地表示氢或有机基; x表示0至4; y表示1至8; w表示0至4; z表示1至8; q为1或2;而 x、y、z及w都是视M1及M2的氧化态而定; 使该等前驱化合物汽化以形成汽化之前驱化合物; 将该等汽化之前驱化合物导向该基材以便在该基 材之第一个电极上形成金属氧化物介电层;以及 在此介电层上形成第二个电极, 其中该前驱化合物之汽化与导向系利用包括多个 沉积循环的原子层沉积法而达成。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中该金属氧化 物介电层包含选自ZrO2、HfO2、Ta2O3、Al2O3、TiO2、及 镧系金属之氧化物的金属氧化物。 图式简单说明: 图1至3系表示实例性电容器结构。 图4系一适用于本发明方法之蒸气沉积涂覆系统的 透视图。 |
