制造矽单晶体所用之晶种及制造矽单晶体之方法

摘要

藉左科拉斯基法制造矽单晶体时，本发明旨在提供一晶种用以生产矽单晶体，该晶体既能防止晶种没入熔融矽内之过程中产生位错又能承受大重量矽单晶体之负荷。本发明亦旨在提供一种制造晶种之方法及一种能提高无位错比之矽单晶体制造方法。左科拉斯基法制造矽单晶体所用之晶种，可切割成该矽晶种之基质矽单晶体内，硼之浓度在4×1018个原子/立方公分以上及4×1019个原子/立方公分以下，且该矽晶种自基质矽单晶体切割下来、先加以研磨及精研，随后并施以蚀刻，一种用以制造该晶种之方法，及一种利用该晶种制造矽单晶体之方法。

主权项

1.一种左科拉斯基法制造矽单晶体所用之晶种,其 特征为:可切割成矽晶种之基质矽单晶体内,硼之 浓度在41018个原子/立方公分以上及41019个原子/ 立方公分以下,且该矽晶种自基质矽单晶体切割下 来、先加以研磨及精研,随后并施以蚀刻[若至少 接触矽融体之矽晶种部分之蚀刻量满足第I式, 【第I式】 Y≧ep(-4.96logA+18.7) (I) 其中Y系待蚀刻之量(微米)及A系依照JIS(日本工业 标准)R6001之方法实施研磨所用磨石之粒度(#)]。 2.一种藉左科拉斯基法用申请专利范围第1项所述 晶种制造矽单晶体之方法,其特征为:无需实施缓 冲颈缩法抽拉该晶种使矽单晶体生长。 3.一种藉左科拉斯基法用申请专利范围第2项所述 晶种制造矽单晶体之方法,其特征为:在10秒钟以上 之时段内,矽融体温度起伏变化之标准差异在4℃ 以下。 4.一种藉左科拉斯基法用申请专利范围第3项所述 晶种制造矽单晶体之方法,其特征为:将晶种部分 熔化在矽融体内,在晶种熔化量大于晶种直径及10 秒钟以上时段内矽融体温度起伏变化之标准差异 为4℃以下之条件下,无需实施缓冲颈缩法,藉抽拉 作用使矽单晶体生长。 图式简单说明: 第一图:该图系图示加工晶种所用磨石粒度与待引 进加工应变薄层厚度间之关系。