| 主权项 |
1.一种贴合晶圆之制造方法,乃属于藉由具有接合 具有利用气体离子的注入所形成的微小气泡层的 结合晶圆与成为支撑基板的基晶圆的工程、和以 前述微小气泡层为边界而剥离结合晶圆,并于基晶 圆上形成薄膜的工程的离子注入剥离法而制造贴 合晶圆之方法中,其特征为:于剥离前述结合晶圆 后的贴合晶圆,在非活性气体、氢气,或是该些的 混合气体气氛下施行热处理,然后对该贴合晶圆施 行热氧化,于前述薄膜表面形成热氧化膜,且除去 该热氧化膜,藉此减少前述薄膜厚度。 2.如申请专利范围第1项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,在前述非活性气体、氢气、或是该些的 混合气体气氛下施行热处理后,将前述薄膜表面以 70nm以下的加工余量进行研磨,然后施行前述热氧 化。 3.如申请专利范围第1项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,将在前述非活性气体、氢气、或是该些 的混合气体气氛下的热处理,于氩100%气氛或是包 含爆发界限以下的氢的氩气氛下进行的。 4.如申请专利范围第2项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,将在前述非活性气体、氢气、或是该些 的混合气体气氛下的热处理,于氩100%气氛或是包 含爆发界限以下的氢的氩气氛下进行。 5.如申请专利范围第1项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,前述结合晶圆是采用矽单结晶晶圆。 6.如申请专利范围第2项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,前述结合晶圆是采用矽单结晶晶圆。 7.如申请专利范围第3项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,前述结合晶圆是采用矽单结晶晶圆。 8.如申请专利范围第4项所述之贴合晶圆之制造方 法,其中,前述结合晶圆是采用矽单结晶晶圆。 9.一种贴合矽绝缘层晶圆,乃属于藉着氧化膜来贴 合2枚矽晶圆所制造的矽绝缘层晶圆中,其特征为: 以1m平方及10m平方测定矽绝缘层层表面的表 面粗糙度(RMS)均为0.15nm以下,矽绝缘层层的膜厚 为1.5nm以下,缺陷密度为不足103个/cm2。 图式简单说明: 第1图(a)~(i)是表示利用本发明的离子注入剥离法, 制造矽绝缘层晶圆的制造工程的其中一例的流程 图。 |
