SIMOX基板的制造方法

摘要

SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)基板的制造方法是在氩与氧的混合气体环境中对注入氧离子的矽基板进行1300～1350℃的热处理，藉此来取得SIMOX基板。在氧离子的注入后，热处理以前，在惰性气体或还原性气体或者混合气体环境中以1000℃～1280℃的温度范围来对矽基板进行5分～4小时的前热处理。被注入氧离子的矽基板最好孔缺陷或由COP(Crystal Originated Particle)所构成的结晶缺陷密度为1×105cm-3以上，且结晶缺陷的尺寸分布最频繁为0.12μm以下。更理想是在前热处理后，在惰性气体或还原性气体或者该等的混合气体环境中使矽基板降温至600℃～1100℃后进行氩与氧的混合气体环境之热处理。

主权项

1.一种SIMOX基板的制造方法,系于氩与氧的混合气 体环境中对注入氧离子的矽基板进行1300~1350℃的 热处理,藉此来取得SIMOX基板者,其特征为: 在氧离子的注入后,上述热处理以前,在惰性气体 或还原性气体或者惰性气体与还原性气体的混合 气体环境中以1000℃~1280℃的温度范围来对上述矽 基板进行5分~4小时的前热处理。 2.如申请专利范围第1项之SIMOX基板的制造方法,其 中被注入氧离子的矽基板,系孔缺陷或由COP所构成 的结晶缺陷密度为1105cm-3以上,且上述结晶缺陷的 尺寸分布最频繁为0.12m以下。 3.如申请专利范围第1或2项之SIMOX基板的制造方法, 其中在前热处理后,在惰性气体或还原性气体或者 惰性气体与还原性气体的混合气体环境中使矽基 板降温至600℃~1100℃后进行氩与氧的混合气体环 境之热处理。 图式简单说明: 图1是表示本发明的实施例1的温度条件。 图2是表示本发明的实施例2的温度条件。 图3是表示比较例1的温度条件。 图4是表示本发明的实施形态的工程图。