| 主权项 |
1.一种基板的处理方法,包含以下步骤: 第一流体弯液面与第二流体弯液面的产生步骤,产 生一第一流体弯液面与至少局部围绕着第一流体 弯液面的一第二流体弯液面; 其中该第一流体弯液面与第二流体弯液面系产生 于基板的一表面之上。 2.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,更包含 以下步骤: 藉由第一流体弯液面处理基板的表面;及 藉由第二流体弯液面处理基板的表面。 3.如申请专利范围第2项之基板的处理方法,其中藉 由第一流体弯液面处理基板的表面系包括蚀刻操 作、清洗操作、冲洗操作、电镀操作、与光刻操 作的其中一个。 4.如申请专利范围第2项之基板的处理方法,其中藉 由第二流体弯液面处理基板的表面系包括蚀刻操 作、清洗操作、冲洗操作、电镀操作、乾燥操作 、与光刻操作的其中一个。 5.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,其中产 生第一流体弯液面系包括经由一第一流体入口将 一第一流体施加在基板的表面且经由一第一流体 出口从基板的表面清除第一流体。 6.如申请专利范围第5项之基板的处理方法,其中产 生第二流体弯液面系包括经由一第二流体入口将 一第二流体施加在基板的表面,且经由第一流体出 口与一第二流体出口从基板的表面清除第二流体, 并经由一第三入口施加一第三流体。 7.如申请专利范围第5项之基板的处理方法,其中第 一流体为光刻流体、蚀刻流体、电镀流体、清洗 流体、与冲洗流体的其中一个。 8.如申请专利范围第6项之基板的处理方法,其中第 二流体为光刻流体、蚀刻流体、电镀流体、清洗 流体、乾燥流体、与冲洗流体的其中一个。 9.如申请专利范围第6项之基板的处理方法,其中第 三流体系降低第二流体之表面张力。 10.如申请专利范围第6项之基板的处理方法,其中 第三流体为氮气之中的异丙醇蒸气。 11.一种基板的处理设备,包含: 一近接头,能够在基板表面之上产生一第一流体弯 液面,且能够在基板表面之上产生至少局部围绕着 第一流体弯液面的一第二流体弯液面,而当近接头 与第一流体弯液面接触时,其能够实质保持第二流 体弯液面的完整性。 12.如申请专利范围第11项之基板的处理设备,其中 该近接头包括: 一第一组的导管,界定在能够产生第一流体弯液面 的近接头之内;及 一第二组的导管,界定在能够产生第二流体弯液面 的近接头之内,而第二组的导管至少局部围绕着第 一组的导管。 13.如申请专利范围第12项之基板的处理设备,其中 该第一组的导管包括: 至少一入口,施加一第一流体到晶圆的表面;及 至少一出口,从晶圆的表面至少清除第一流体。 14.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 该第二组的导管包括: 至少一入口,施加一第二流体到晶圆的表面;及 至少一出口,从晶圆的表面至少清除第二流体; 其中从晶圆的表面清除第一流体的至少一出口亦 至少清除部份的第二流体。 15.如申请专利范围第14项之基板的处理设备,其中 该第二组的导管更包括: 至少一入口,用以将一第三流体施加到晶圆的表面 。 16.如申请专利范围第11项之基板的处理设备,其中 该第一流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作 、冲洗操作、电镀操作、与光刻操作的其中一个 。 17.如申请专利范围第11项之基板的处理设备,其中 该第二流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作 、冲洗操作、电镀操作、乾燥操作、与光刻操作 的其中一个。 18.如申请专利范围第15项之基板的处理设备,其中 该第三流体系降低第二流体的表面张力。 19一种基板的处理设备,包含: 一近接头,能够产生一第一流体弯液面,且能够产 生至少局部围绕着第一流体弯液面的一第二流体 弯液面,近接头包括: 至少一第一入口,界定在近接头的一处理表面之中 ,而形成为将一第一流体施加到晶圆的表面; 至少一第一出口,界定在近接头的处理表面之中, 而形成为从晶圆的表面清除第一流体与至少部份 的第二流体; 至少一第二入口,界定在近接头的处理表面之中, 而形成为将第二流体施加到晶圆的表面;及 至少一第二出口,界定在近接头的处理表面之中, 而形成为从晶圆的表面至少清除部份的第二流体; 及 其中至少一第二入口与至少一第二出口系至少局 部围绕着至少一第一出口与至少一第一入口。 20.如申请专利范围第19项之基板的处理设备,其中 该近接头更包括: 至少一第三入口,界定在近接头的处理表面之中, 而形成为将一第三流体施加到晶圆的表面。 21.如申请专利范围第19项之基板的处理设备,其中 该第一流体弯液面系能够执行蚀刻操作、清洗操 作、冲洗操作、电镀操作、与光刻操作的其中一 个。 22.如申请专利范围第19项之基板的处理设备,其中 该第二流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作 、冲洗操作、电镀操作、乾燥操作、与光刻操作 的其中一个。 23.如申请专利范围第20项之基板的处理设备,其中 该第三流体降低第二流体的表面张力。 图式简单说明: 图1A显示在SRD乾燥处理期间之晶圆之上的清洗流 体之移动。 图1B显示例示性的晶圆乾燥处理。 图2显示根据本发明之一实施例的晶圆处理系统。 图3显示根据本发明之一实施例的正在进行晶圆处 理操作之近接头。 图4A显示根据本发明之一实施例的藉由近接头所 进行之晶圆处理操作。 图4B显示根据本发明之一实施例的双晶圆表面处 理系统之中所使用的例示性的近接头之侧视图。 图5A显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头。 图5B显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头之横剖面图。 图6A显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头。 图6B显示根据本发明之一实施例的近接头之处理 表面。 图6C显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头之处理表面的特写图。 图6D显示根据本发明之一实施例的装设于本体而 一起构成多重弯液面近接头之厂务设施板。 图6E显示根据本发明之一实施例的近接头之横剖 面图。 图7显示根据本发明之一实施例的例示性之晶圆处 理操作之中的多重弯液面近接头之横剖面图。 图8A显示根据本发明之一实施例的用于处理斥水 性阻障部之多重弯液面近接头的横剖面图。 图8B显示根据本发明之一实施例的在亲水性晶圆 表面之上进行操作的多重弯液面近接头之特写图 。 图8C显示根据本发明之一实施例的在亲水性晶圆 表面之上进行操作的多重弯液面近接头之特写图 。 图9显示根据本发明之一实施例的具有矩形之弯液 面的多重弯液面近接头。 图10显示根据本发明之一实施例的具有长方形流 体弯液面之多重弯液面近接头。 |
