| 主权项 |
1.一种电子装置,其具有: 包含一空穴之一主体,该空穴具有一内侧面及一隙 缝; 配备有接点之一半导体元件,该半导体元件处于该 空穴中,且至少其部分接点系位于该空穴之隙缝处 ; 其特征在于:该等接点经由导电连接件与接触面电 性接触,该等接触面系锚定于电性绝缘材料中。 2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该主体包 括一电性绝缘材料,其封装除隙缝以外之该半导体 元件。 3.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电性绝 缘材料形成一护套,其同时亦充满该空穴。 4.如申请专利范围第3项之电子装置,其进一步包括 一导热层,该导热层与该半导体元件之间存在热传 递,且其系至少部分位于该空穴之内侧。 5.如申请专利范围第4项之电子装置,其特征在于: 该主体为由具有导电中间层之绝缘材料制成之一 多层基板,该导热层为该多层基板之中间层的一部 分。 6.如申请专利范围第1项之电子装置,其特征在于: 存在其他元件,其经由导电互连按需要与该半导体 元件之该等接点连接。 7.一种制造电子装置之方法,该电子装置包括具有 包含一内侧及一隙缝之空穴之一主体,以及具有接 点之一半导体元件,该半导体元件处于该空穴中, 且至少其部分接点系位于该空穴之该隙缝处; 该方法包括以下步骤: -为主体配备半导体元件及一遮盖,该遮盖包括由 导电材料制成之一图案化层及一牺牲层; -组装该主体与该遮盖,其方式使得该半导体元件 之诸接点与该遮盖之图案化层连接; -在该遮盖与该主体之间配置一护套,该图案化层 机械地锚定于该护套中;以及 -自该遮盖移除该牺牲层。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中具有该半导体 元件之该主体的配置步骤为: -将该半导体元件置于一临时载体上,该等接点位 于该临时载体之侧面; -成型该半导体元件,随之形成该电性绝缘材料之 主体;以及 -移除该临时载体,随之配置该隙缝。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中该主体在该空 穴之内侧具有一导热层,该导热层系与半导体元件 之间存在热传递,且其中经由将该半导体元件置于 该主体之该导热层上,以提供具有该半导体元件之 该主体。 10.一种制造电子装置之方法,该电子装置包括具有 包含一内侧及一隙缝之空穴之一主体,以及具有接 点之一半导体元件,该半导体元件处于该空穴中, 且至少其部分接点系位于该空穴之该隙缝处;该方 法包括下列步骤: -配置该主体及一遮盖,至少该空穴之部分内侧配 备有一导热层,且该遮盖包括一导电材料之图案化 层及一牺牲层; -将该半导体元件置于该遮盖之该图案化层上; -组装该主体及该遮盖,其方式使得该半导体元件 与该导热层之间存在热传递,且该半导体元件之诸 接点与该遮盖之该图案化层连接; -在该遮盖与该主体之间配备一护套,该图案化层 机械地锚定于该护套中;以及 -自该遮盖移除该牺牲层。 11.如申请专利范围第8、9或10项之方法,其特征在 于:在该遮盖之该图案化层与该牺牲层之间存在一 图案化子层,该图案化层与该子层包括一第一及一 第二图案,该等图案系由一凹陷相互隔开,该凹陷 在该子层平面上之直径系大于在该图案化层平面 上之直径。 12.如申请专利范围第8或10项之方法,其特征在于: 该主体包括复数个空穴,且其在放置半导体元件后 与一适宜遮盖组装,并在移除该牺牲层后,将所组 装之主体及遮盖分成诸多独立之电子装置。 13.如申请专利范围第9或10项之方法,其特征在于: 该主体包括玻璃,且以一喷砂工艺形成该空穴,其 后在该空穴内侧涂敷一导热层,该层延伸至该空穴 之外。 14.如申请专利范围第9或10项之方法,其特征在于: 经由将一导热层及一牺牲层之薄片变形,形成该空 穴,以制成该主体,在该主体与该遮盖之间配置该 护套后即移除该牺牲层。 图式简单说明: 图1系该装置第一项具体实施例之剖面图; 图2A至E系主体、遮盖及装置在该方法之不同阶段 的剖面图; 图3A至H系主体及遮盖在该方法之第二项具体实施 例的不同阶段之剖面图,其结果形成该装置之第二 项具体实施例。 |
