发明名称 Ion beam etching method and ion beam etching apparatus
摘要 An ion beam etching method comprises an etching step of etching an object to be processed with an ion beam extracted by an extraction electrode, and a cooling step of cooling the extraction electrode with an inert gas.
申请公布号 US2007007243(A1) 申请公布日期 2007.01.11
申请号 US20060475029 申请日期 2006.06.27
申请人 TDK CORPORATION 发明人 HORITA AKIHIRO;KUBOTA NAOKI
分类号 C23F1/00 主分类号 C23F1/00
代理机构 代理人
主权项
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