| 发明名称 |
III-NITRIDE ENHANCEMENT MODE DEVICES |
| 摘要 |
<p>A III-nitride power semiconductor device that includes a gate barrier under the gate thereof, and a method for fabricating the device.</p> |
| 申请公布号 |
WO2007006001(A2) |
申请公布日期 |
2007.01.11 |
| 申请号 |
WO2006US26323 |
申请日期 |
2006.07.06 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION;BEACH, ROBERT |
发明人 |
BEACH, ROBERT |
| 分类号 |
H01L31/00;H01L29/739 |
主分类号 |
H01L31/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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