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经营范围
发明名称
Verfahren zur Herstellung eines InGaAsN Halbleiters mit hoher Qualität
摘要
申请公布号
DE60209610(T2)
申请公布日期
2007.01.11
申请号
DE2002609610T
申请日期
2002.10.17
申请人
AGILENT TECHNOLOGIES INC.
发明人
TAKEUCHI, TETSUYA;CHANG, YING-LAN;BOUR, DAVID P.;LEARY, MICHAEL H.;TAN, MICHAEL R. T.;LUAN, ANDY
分类号
C23C16/30;H01L21/331;C23C16/44;C30B25/02;H01L21/205;H01L29/737;H01S5/183;H01S5/323
主分类号
C23C16/30
代理机构
代理人
主权项
地址
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