非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法，该非挥发性记忆体的制造方法，此方法是先于基底上形成多数行隔离结构。然后，于基底上形成多数列闸极堆叠结构，这些闸极堆叠结构是跨过隔离结构。之后，于相邻二闸极堆叠结构的基底中形成掺杂区。接着，于闸极堆叠结构的侧壁形成多数条间隙壁。继之，于相邻两列闸极堆叠结构之间的部分隔离结构上形成第一介电层，其中同一列的相邻二第一介电层之间穿插有一隔离结构，而包含第一介电层与隔离结构的相邻两列彼此交错排列。然后，于同一列的相邻二第一介电层之间形成第一导体层。

主权项

1、一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底；于该基底上形成多数行隔离结构；于该基底上形成多数列闸极堆叠结构，该些闸极堆叠结构是跨过该些隔离结构，且各该闸极堆叠结构由该基底依序为一底介电层、一电荷储存层、一顶介电层与一控制闸极层；于相邻二该些闸极堆叠结构之间的该基底中形成多数个掺杂区；于该些闸极堆叠结构的侧壁形成多数条间隙壁；于相邻两列闸极堆叠结构之间的部分该些隔离结构上形成多数个第一介电层，其中同一列的相邻二第一介电层之间穿插有一隔离结构，而包含有该些第一介电层与该些隔离结构的相邻两列彼此交错排列；以及于同一列的相邻二第一介电层之间形成多数个第一导体层。