| 发明名称 | 具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括栅极绝缘膜，栅极电极以及源极和漏极区域，所述栅极绝缘膜至少包括形成在半导体衬底的主表面上的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第一铁电膜，第一铁电膜含有预定金属元素与第一绝缘膜的组成元素的化合物作为主要成分，并且介电常数大于第一绝缘膜的介电常数；所述栅极电极形成在栅极绝缘膜上，并由Cu和含有Cu作为主要成分的材料中的一种形成；所述源极和漏极区域分开地形成在半导体衬底中，中间夹着栅极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1893114A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610099835.2 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 那须勇人;臼井孝公;柴田英毅 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：栅极绝缘膜，至少包括形成在半导体衬底的主表面上的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第一铁电膜，第一铁电膜含有预定金属元素与第一绝缘膜的组成元素的化合物作为主要成分，并且第一铁电膜的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数，栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，并由Cu和含有Cu作为主要成分的材料中的一种形成，以及源极和漏极区域，分开地形成在所述半导体衬底中，中间夹着所述栅极电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||