| 发明名称 | 大面积、均匀低位错密度GaN衬底及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种大面积、均匀的低位错密度单晶III－V氮化物材料，例如，氮化镓具有大于15cm的大面积。至少1mm的厚度、平均位错密度不超过5E5cm<SUP>－2</SUP>以及小于25％的位错密度标准偏差比率。这种材料可以通过包括(i)在凹陷生长条件下，即，在III－V氮化物材料的至少50％的生长表面上形成凹陷，在衬底上生长III－V氮化物材料的第一阶段，其中生长表面上的凹陷密度至少是10<SUP>2</SUP>凹陷/生长表面cm<SUP>2</SUP>，以及(ii)在凹陷－填充条件下生长III－V氮化物材料的第二阶段的工艺形成在衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN1894446A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480037137.9 | 申请日期 | 2004.11.12 |
| 申请人 | 克利公司 | 发明人 | 罗伯特·P·沃多;徐学平 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);B32B9/00(2006.01);C23C14/00(2006.01) | 主分类号 | C30B23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种大面积单晶III-V氮化物材料，在其至少一个表面上具有均匀的低位错密度。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||