半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个绝缘表面上形成一层结晶半导体膜；使用有机硅烷在所述结晶半导体膜上形成包括氧化硅的一层栅极绝缘膜；在一个含氢气的氛围中加热所述栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成一个栅极电极，所述栅极电极包括至少从钽、钛、钨、钼和硅构成的组中选择的一种材料；穿过所述栅极绝缘膜引入一种杂质在所述结晶半导体膜中形成至少一个杂质区；在所述栅极电极上形成一层绝缘膜；以及在所述绝缘膜上形成包括铝的引线。