| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供具有柔性和高物理强度的半导体器件的制造方法。其要点如下：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层，然后在所述衬底的一方表面一侧的一部分形成具有曲率的孔，接着使所述衬底成为薄(例如，对于所述衬底的另一方表面进行磨削、抛光)，对应于所述孔形成的位置切断该衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。此外，所述被抛光的衬底的厚度为2至50μm(包括2μm和50μm)。 | ||
| 申请公布号 | CN1893023A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610094698.3 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 鹤目卓也;楠本直人 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在衬底的一方表面上形成包括多个集成电路的元件层；在所述衬底的一方表面一侧的一部分中形成具有曲率的孔；使所述衬底成为薄；以及对应于所述孔形成的位置切断所述衬底并且使所述衬底的切断面具有曲率，从而形成具有集成电路的叠层体。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||