| 摘要 |
<p>Полезной моделью является светодиодная гетероструктура на подложке из монокристаллического сапфира. Данная структура используется при создании светоизлучающих диодов. В настоящее время светоизлучающие диоды, приходят на смену морально устаревшим лампам накаливания и люминесцентным лампам вследствие своей способности более прямого преобразования электрической энергии в свет и как следствие более высокого КПД. Наиболее перспективным материалом в деле создания полупроводниковых источников излучения признаются нитридные соединения. Мировой опыт показывает, что для выращивания нитридных гетероструктур на сапфировой подложке предпочтительным является метод MOCVD по сравнению с другими ростовыми технологиями (молекулярно-пучковая эпитаксия, хлор-гидридная эпитаксия и т.д.), как с точки зрения производительности, так и качества получаемой структуры.</p>
<p>Патентуемая светодиодная гетероструктура на подложке из монокристаллического сапфира, заявляемой полезной модели, состоит из элемента объемного сапфира с кристаллической ориентацией поверхности (1000), и выращенных на ней методом газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений последовательно слоев: буферный слой нитрида галлия, нелегированный слой нитрида галлия, слой нитрида галлия n-типа проводимости, легированного кремнием, множественных квантовых ям на основе твердого раствора In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N в GaN, слоя твердого раствора AlGaN p-типа проводимости и слоя нитрида галлия p-типа проводимости, легированного магнием. Величина параметра «x» определяет соотношение индия и галлия и варьируется для получения требуемой длины волны в заданном диапазоне 450-480 нм.</p> |
