| 发明名称 | 超薄SOI/SGOI衬底上的超高速Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种硅和硅锗基半导体MODFET器件设计以及制造方法。此MODFET设计包括高迁移率层结构，能够超高速、低噪声用于包括RF、微波、亚毫米波、以及毫米波的各种通信用途。外延的场效应晶体管层结构包括组合硅和硅锗层的高迁移率应变n沟道和p沟道晶体管的临界(垂直和横向)器件按比例缩小以及层结构设计，用以在超薄的SOI或SGOI衬底上形成能够得到大幅度改善了的RF性能的最佳调制掺杂的异质结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1894782A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480024784.6 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 赵泽安;C·欧阳齐庆 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/778(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种高电子迁移率层半导体结构，它包括：SGOI衬底，它包括锗含量范围为30-40％、厚度范围为20-30nm、且p型掺杂浓度范围为每立方厘米1×1014-5×1017的绝缘体上硅锗层；生长在所述硅锗层顶部上的厚度范围为0-5nm的外延Si0.95Ge0.05籽层；生长在所述籽层顶部上、厚度范围为20-30nm、且锗含量x范围为10-40％的再生长的Si1-xGex缓冲层；生长在所述缓冲层顶部上且厚度范围为5-7nm的外延张应变的硅层；生长在所述应变硅层顶部上、厚度范围为3-5nm、且锗含量y范围为30-40％的外延Si1-yGey间隔层；生长在所述间隔层顶部上、厚度范围为2-8nm、n型掺杂浓度范围为每立方厘米2×1018-2×1019、且锗含量范围为35-50％的外延Si1-zGez供给层；以及生长在所述供给层顶部上、厚度范围为0-3nm、且n型掺杂浓度范围为每立方厘米5×1017-5×1019的外延张应变的硅帽层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||