| 发明名称 | 用于离散磁道记录介质的基底的制造方法和离散磁道记录介质的制造方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，该方法包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，15)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO<SUB>2</SUB>，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H<SUB>2</SUB>O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF<SUB>4</SUB>、CHF<SUB>3</SUB>、SF<SUB>6</SUB>和C<SUB>2</SUB>F<SUB>6</SUB>的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1892834A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610094258.8 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝;昭和电工株式会社 | 发明人 | 镰田芳幸;内藤胜之;喜喜津哲;樱井正敏;冈正裕 |
| 分类号 | G11B5/84(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23F1/00(2006.01) | 主分类号 | G11B5/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造用于离散磁道记录介质的基底的方法，其特征在于包括以下步骤：在基底(11，31，41，51)上形成压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；在所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)上压印具有与记录磁道区和伺服区对应的凸起和凹陷的图形的压模(13，53)，以将所述凸起和凹陷的图形转移到所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)；从所述压印抗蚀剂层(12，32，42，52)除去所述压模(13，53)；以及在压力设定为2至5atm的处理室中扩散液化的CO2，在压力设定为0.01至1atm的处理室中扩散液化的H2O，或在设定为任意压力的处理室中扩散选自液化CF4、CHF3、SF6和C2F6的反应气体，以将所述液化气体喷射到所述基底(11，31，41，51)的表面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||