发明名称 具有低热膨胀系数基材的半导体元件及其应用
摘要 本发明是有关于一种具有低热膨胀系数基材的半导体元件及其应用,其中该半导体元件包括集成电路晶片及封装基材,集成电路晶片具有至少一耦合组件形成于其外部表面。封装基材具有一粘着表面以及建构来接受至少一耦合组件的复数个焊垫。在本实施例中,封装基材是经过选择或制造来使其具有一个垂直于粘着表面方向的热膨胀系数,其中此一膨胀系数实质小于两倍的另一个平行于粘着表面方向的热膨胀系数。
申请公布号 CN1893049A 申请公布日期 2007.01.10
申请号 CN200610098478.8 申请日期 2006.07.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 卢思维;李新辉;李建勋;李明机
分类号 H01L23/488(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L23/373(2006.01) 主分类号 H01L23/488(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种半导体元件,其特征在于其包括:一集成电路晶片,具有至少一耦合组件形成于该集成电路晶片的一外部表面上;以及一封装基材,具有一粘着表面以及建构来接受该至少一耦合组件的复数个焊垫,其中该封装基材具有一垂直于该粘着表面的热膨胀系数以及一平行于该粘着表面的热膨胀系数,且该垂直于该粘着表面的热膨胀系数是实质小于两倍的该平行于该粘着表面的热膨胀系数。
地址 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号