| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于－15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。 | ||
| 申请公布号 | CN1893134A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610100645.8 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 龟谷英司;井口缘织;渡边信幸;村上哲朗 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光器件，包括：多个半导体层，至少包括发光层；和透明层，其透射来自所述发光层的光，所述各层堆叠在一起，其中所述半导体层和透明层的晶轴彼此大致对准，且所述透明层的横侧面方向关于[100]方向处于-15°到+15°范围。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||