发明名称 |
薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法,此薄膜晶体管的制造方法是先在基板上形成多晶硅层,且此多晶硅层具有第一待掺杂区、第二待掺杂区以及通道区。其中,通道区是位于第一待掺杂区与第二待掺杂区之间。然后,进行掺氮工艺,以将氮掺入该多晶硅层。继之,在多晶硅层上依序形成栅绝缘层与栅极,其中栅绝缘层与栅极均位于通道区上方。接着,进行掺杂工艺,以使第一待掺杂区与第二待掺杂区分别成为源极区与漏极区。掺有氮的多晶硅层内会产生Si-N键,其可修补多晶硅层内的缺陷,进而降低载流子在通道区内被攫取的机率。 |
申请公布号 |
CN1892996A |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN200510080718.7 |
申请日期 |
2005.07.05 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
沈嘉男;谢呈男;张锡明 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 |
代理人 |
薛平 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于包括:在基板上形成多晶硅层,该多晶硅层具有通道区、第一待掺杂区以及第二待掺杂区,其中该通道区是位于该第一待掺杂区与该第二待掺杂区之间;进行掺氮工艺,以将氮掺入该多晶硅层;依序在该多晶硅层上形成栅绝缘层与栅极,其中该栅极是位于该通道区上方;以及进行掺杂工艺,以使该第一待掺杂区与该第二待掺杂区分别成为源极区与漏极区。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |